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【实例简介】内容简介 《3GPP长期演进(LTE)技术原理与系统设计》系统地介绍了3GPP长期演进(LTE)的技术原理和系统设计。全书分为9章，第1章首先介绍了LTE产生的背景，然后概述了LTE的重要技术特点；第2章介绍了LTE的需求指标；第3章详细介绍了LTE物理层协议的内容：第4章讨论了LTE无线传输技术的原理及其选择过程：第5章介绍了LTE无线传输系统的各个设计环节；第6章讨论了LTE系统采用的各种自适应技术和物理过程；第7章介绍了LTE空中接口协议的结构和设计；第8章介绍了LTE无线接入网络的各项功能和各个接口：第9章介绍了LTE的进一步演进版本LTE-Advanccd的发展趋势。 编辑推荐 《3GPP长期演进(LTE)技术原理与系统设计》能够帮助我国的LTE研发和工程人员加深对LTE标准的理解，并为我国企业和高校研究人员研究和设计新一代宽带无线移动系统提供参考。 作者简介 本书作者全部为3GPP各工作组参会代表，自2005年开始参与LTE标准化工作的全过程。 第一作者沈嘉为工业和信息化部(原信息产业部)电信研究院通信标准研究所高级工程师，从事3GPP LTE、LTE-Advanced、IMT-Advanced、UWB等宽带无线移动通信技术和标准化研究工作；现任工业和信息化部，MT-Advanced推进组技术工作组副组长；自2005年4月起参加LTE标准化工作，向3GPP提交、宣讲文稿30余篇，申请专利4项；2000年毕业于清华大学电子工程系，获学士学位；2004年毕业于英国约克大学电子学系，获博士学位。 目录 第1章背景与概述. 1.1什么是LTE 1.2LTE项目启动的背景 1.33GPP简介 1.4LTE研究和标准化工作进程 1.5LTE技术特点 1.6LTE和其他宽带移动通信技术的对比 1.7小结 参考文献 第2章LTE需求 2.1系统容量需求 2.2系统性能需求 2.3系统部署需求 2.4对无线接入网框架和演进的要求 2.5无线资源管理需求 2.6复杂度要求 2.7成本要求 2.8业务需求 2.9小结 参考文献 第3章LTE物理层协议 3.1物理层概述 3.2物理信道与调制 3.3复用与信道编码 3.4物理层过程 3.5物理层测量 参考文献 第4章LTE无线传输技术 4.1双工方式 4.2宏分集的取舍 4.3下行多址技术 4.4上行多址技术 4.5下行MIMO技术 4.6上行MIMO技术 4.7调制技术 4.8信道编码 4.9演进型多媒体（E-MBMS广播和多播业务）技术.. 4.10小区间干扰抑制技术 4.11小结 参考文献 第5章LTE无线传输系统设计 5.1帧结构设计 5.2系统参数设计 5.3参考信号设计 5.4资源映射与调度 5.5控制信道设计 5.6终端等级 5.7小结 参考文献 第6章LTE自适应与物理过程 6.1自适应调制和编码 6.2混合自动重传请求 6.3功率控制 6.4小区搜索过程与SCH／BCH设计 6.5随机接入过程 6.6上行时钟控制 6.7切换测量过程 6.8小结 参考文献 第7章LTE空中接口协议 7.1协议设计要求 7.2协议框架 7.3HARQ与ARQ 7.4调度 7.5QoS控制 7.6移动性 7.7安全性 7.8MBMS 7.9小结 参考文献 第8章无线接入网络功能和接口 8.1LTE系统架构 8.2无线资源管理 8.3移动性管理 8.4网络共享 8.5QoS概念 8.6网络自配置与自优化 8.7小结 参考文献 第9章LTE-Advanced--LTE的进一步演进 9.1LTE-Advanced与IMT-Advanced的互动关系 9.2LTE-Advanced需求发展趋势 9.3LTE-Advanced技术和网络演进趋势 9.4小结 参考文献 缩略语 序言 第三代移动通信(3G)技术是当前主流的无线通信技术之一。在诸多3G技术标准中，又以3GPP制定的标准最具影响力，近几年来，WCDMA、TD-SCDMA、HSPA等各种系统已经逐步在全球大规模部署。同时，3GPP又启动了LTE、。HSPA+、LTE。Advanced等长期标准演进项目。 经过3年多的工作，LTE标准已接近完成。这个标准采用OFDM、MIMO等先进的无线传输技术、扁平网络结构和全IP系统架构，支持最大20MHz的系统带宽、超过200Mbit／s的峰值速率和更短的传输延时，频谱效率达到3GPP R6标准的3～5倍，是一项重大的革新。L,TE一方面可以在几年内保持3GPP标准相对其他移动通信标准的持续竞争优势，另一方面也为3GPP

tMemMonitor（TMM）是一款运行时C/C++内存泄漏分析工具，其检测结果专业、准确，操作却极其简单，可以帮助C/C++程序员迅速解决内存泄漏。TMM中引入GC机制，内存泄露检测准确率可达100%，无需内存快照，不影响目标程序性能，极简操作，是每个程序员都值得拥有的开发助手。

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IC设计经典教材，《专用集成电路设计实用教程》专用集成电路设计实用教程虞希清编著大學出瓶社图书在版编目(CIP)数据专用集成电路设计实用教程/虞希清编著.一杭州:浙江大学出版社,2007.1ISBN978-7-308-05113-2专..Ⅱ.虞..Ⅲ.集成电路一电路设计一高等学校一教材Ⅳ.TN402中国版本图书馆CIP数据核字(2006)第165341号专用集成电路设计实用教程虞希清编著任编辑张真封面设计张真出版发行浙江大学出版社(杭州天目山路148号邮政编码310028)(E-mail:zupress@mail,hz,zj.cn)(网址http://www.zjupress.com排版杭州好友排版工作室印刷杭州浙大同力教育彩印有限公司开本787mm×1092mm1/16印张18.25字数467千印数2001-3000版印次207年1月第1版2007年7月第2次印刷书号ISBN978-7-30805113-2定价38.00元版权所有翻印必究印装差错负责调换内容提要在现代的IC设计中,工程师们广泛地使用数字电路的逻辑综合技术。工程师们使用RTL代码和IP描述设计的功能,进行高级设计,用综合工具对设计进行编辑和优化,以实现满足设计目标的电路。根据多年为客户进行技术培训,技术支持和IC设计的经验,笔者编写了本书。书中主要介绍了IC设计的基本概念,设计流程和设计方法,并就工程师们在设计中常见的问题,提供了解决方法。本书的特点是实用性强全书共分九章,第一章概述EC设计的趋势和流程;第二章介绍用RTL代码进行电路的高级设计和数字电路的逻辑综合;第三章陈述了IC系统的层次化设计和模块划分;第四章详细地说明如何设置电路的设计目标和约束;第五章介绍综合库和静态时序分析;第六章深入地阐述了电路优化和优化策略;第七章陈述物理综合和简介逻辑综合的拓扑技术;第八章介绍可测性设计;第九章介绍低功耗设计和分析本书的主要对象是IC设计工程师,帮助他们解决IC设计和综合过程中遇到的实际问题。也可作为高等院校相关专业的高年级学生和研究生的参考书。前言本书在 Synopsys公司的逻辑综合培训资料基础上编写而成。从事EDA工作和ASIC设计已有十几年了。在给中港台ASIC设计工程师提供的技术培训和支持中,工程师们曾提出了设计和使用设计工具中遇到的各种各样的问题。教学相长,在和工程师讨论问题、提供解决方案的过程中,我得到了很多的经验和启发。在为用户解决一些实际问题,为他们提供培训后,我曾收到热情的掌声和感谢信。用户的掌声和谢意给了我很大的鼓励和鞭策,使我下决心要编写一本实用的中文版的集成电路设计教程和手册,以答谢用户们的支持和帮助。本书讲究实用性,希望其中的内容能帮助ASIC设计工程师清楚明了IC设计的基本概念,IC设计的流程,逻辑综合的基本概念和设计方法,解决进行IC设计时和工具使用时所遇到的问题。全书共分九章,第一章概述IC设计的趋势和流程;第二章介绍用RTL代码进行电路的高级设计和数字电路的逻辑综合;第三章陈述了IC系统的层次化设计和模块划分;第四章详细地说明如何设置电路的设计目标和约束;第五章介绍综合库和静态时序分析;第六章深入地阐述了电路的优化和优化策略;第七章陈述物理综合和简介逻辑综合的拓扑技术;第八章介绍可测性设计;第九章介绍低功耗设计和分析本书的主要对象是IC设计工程师,帮助他们解决IC设计和综合过程中遇到的实际问题。也可作为高等院校相关专业的高年级学生和研究生的参考书。在本书的编写过程中,得到了 Synopsys中国区高级技术经理常绍军先生的大力支持。常绍军先生、资深的应用技术顾问李昂先生和冯源先生审阅了本书,并提出了宝贵的意见和建议。在此,表示衷心的感谢。在本书编写过程中,得到了全家的支持,深表谢意!由于时间仓促,知识水平有限,书中难免有不足和错误之处,敬请各位专家,IC设计工程师和同行们批评指正,不胜感激。来函可发电子邮件( Email: victory_snps@ yahoo.com.hk)。虞希清2006年11月于 Synopsys香港目录第一章集成电路设计概论1.1摩尔定律………………∴…………11.2集成电路系统的组成1.3集成电路的设计流程第二章数字电路的高级设计和逻辑综合132.1RTL硬件描述语言设计132.1.1行为级硬件描述语言( Behavioral Level hdi)132.1.2寄存器传输级硬件描述语言( RTL HDI)172.1.3结构化硬件描述语言( Structure HDL)………………………………232逻辑综合(L。 gic Synthesis)…………………272.2.1逻辑综合的基本步骤…282.2.2综合工具 Design Compiler302.2.3目标库和初始环境设置鲁·自自音甲·是着音鲁备.··非曲●d■···●····第三章系统的层次化设计和模块划分353.1设计组成及 DC- Tcl…·自音···········日·········.···卡器日音是·晶自鲁bt·。……353.1.1设计物体( Design Object)鲁音自353.1.2 DC - Tcl简介香看·鲁·鲁·鲁.鲁自春3.2层次( Hierarchy)结构和模块划分( Partition)及修改463.2.1层次结构的概念463.2.2模块的划分…息鲁483.2.3模块划分的修改·看。51第四章电路的设计目标和约束…°。●看。面●554.1设计的时序约束…普·非鲁·鲁击曲■554.1.1同步( Synchronous)电路和异步( Asynchronous)电路…4.1.2亚稳态( Metastability)574.1.3单时钟同步设计的时序约束…血D。e574.1.4设计环境的约束724,1.5多时钟同步设计的时序约束…………794.1.6异步设计的时序约束832专用集成电路设计实用教程4.1.7保持时间( Hold Time)854.2复杂时序约束看香鲁e鲁曲鲁。自鲁自。a。自鲁自。鲁4.2.1多时钟周期( Multi-Cycle)的时序约束874.2.2门控时钟的约束904.2.3分频电路和多路传输电路的时钟约束鲁·看看看鲁924.3面积约束……………………………96第五章综合库和静态时序分析…985.1综合库和设计规则···········.······.··4·a·.·····◆···—985.1.1综合库……5.1.2设计规则1075.2静态时序分析5.2.1时序路径和分组1125.2.2时间路径的延迟1145.2.3时序报告和时序问题的诊断鲁·.···.·自击击合音。甲。。。●。。●……115第六章电路优化和优化策略…1206.1电路优化..···4····;··.·.·.·.·a·a·;··1226.1.1 Synopsys的知识产权库- Design Ware1236.1.2电路优化的三个阶段………………………1266.2优化策略…………1346.2.1编辑策略垂由d垂……1356.2.2自动芯片综合( Automated Chip Synthesis)………………………………1416.3网表的生成格式及后处理144第七章物理综合1487.1逻辑综合(L。 gic Synthesis)遇到的问题……………………1487.2物理综合( Physical Synthesis)的基本流程鲁鲁自谁…………………………1517.3逻辑综合的拓扑技术( Topographical Technology)…………162第八章可测试性设计…1748.1生产测试简介…………1748.2可测试性设计鲁D曹吾音·非·自·········着4鲁4鲁是1768.2.1物理瑕疵和故障模型1768.2.2D算法( D algorithm)1788.3测试协议( Test protocol)1858.4测试的设计规则·●鲁q鲁·音鲁鲁D鲁香曹音音音·自自··。·非鲁曲··●1908.4.1可测试性设计中的时钟信号1908.4.2三态总线和双向端口的测试。非……………………198录8.5门级网表可测试问题的自动修正2048.6扫描链的插入2088.7可测试设计的输出和流程2228.8自适应性扫描压缩技术………225第九章低功耗设计和分析2299.1工艺库的功耗模型…………2319.2功耗的分析…鲁鲁鲁……………2379.3低功耗电路的设计和优化2519.3.1门控时钟电路25293.2操作数分离………2619.3.3门级电路的功耗优化●·4·■D鲁曹春击自由2669.3.4多个供电电压( Multi-VDD)…2749.3.5电源门控………276参考文献……………………281第一章集应电路设计概记集成电路( Integrated Circuits)是现代电子设备的重要组成部分。因此,成功设计集成电路对整个电子信息技术产业的发展起到重要的作用。由于科技的发展,半导体芯片的集成化程度越来越高,设计的系统越来越复杂,规模越来越大,设计的性能越来越髙,功耗也越来越大,这些不断地给芯片设计工程师和电子设计自动化( Electronics Design Automation,简称EDA)厂商提出新的课题和挑战。1.1摩尔定律摩尔提出著名的“摩尔定律”已经40多年了。1965年4月,摩尔在《电子学( Electronics)》杂志上发表文章预言,半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。1975年,他又提出修正说,芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番。晶体管数量MOORES LAWIntels Tanuma 2 Processo1000000000ante△nmtele Pentium Pr100000000Intels Pentium m Processoitels Pentium Pro10000000Intelstuma Printels*v Proces1000000Intel388 pre28610000080801000080084004●100019701975198019851990199520002005年度图1.1.1图1.1.1为在过去25年, ntel CPu中晶体管增长的情况。集成电路的规模不断地稳

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