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微电子电路设计第五版,Richard C. Jaeger, Traveis N. Blalock编著。FIETH EDITIONMICROELECTRONICHM-M- CIRCUIT DESIGNRICHARD C. JAEGERAuburn UniversityTRAVIS N. BLALOCKUniversity of VirginiaMcGrawEducationGrawEducationMICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN. FIFTH EDITIOPublished by McGraw-Hill Education, 2 Penn Plaza, New York, NY 10121 CopyrightC 2016 by McGraw-Hill EducationAll rights reserved. Printed in the United States of America. Previous editions 2011, 2008, and 2004. No part of thispublication may be reproduced or distributed in any form or by any means, or stored in a database or retrieval system,without the prior written consent of McGraw-Hill Education, including, but not limited to, in any network or otherelectronic storage or transmission, or broadcast for distance learninSome ancillaries, including electronic and print components, may not be available to customers outside the United StatesThis book is printed on acid-free pape1234567890DOw/DOw1098765ISBN978-0-07-352960-8MHID0-07-352960-5sident Products markets Kurt LVice President, General Manager, Products Markets: Marty Langece President, Content Design Delivery: Kimberly Meriwether DavidManaging director: Thomas TimpGlobal Publisher Raghu srinivasanDirector. Prodrelopment: RoDirector, Digital Content Development: Thomas Scaife, Ph DProduct develoVincent brashMarketing manager: Nick Mc faddenDirector, Content Design Delivery: Linda avenariusProgram meSchillingContent Project Managers: Jane Mohr, Tammy Juran, and Sandra M. SchneeBuyer: Jennifer PickelDesign: Studio Montage, St Louis, MOContent Licensing Specialist: DeAnna DausenerCompositor: MPS LimitedPrinter.R. DonnellAll credits appearing on page or at the end of the book are considered to be an extension of the copyright pageLibrary of Congress Cataloging-in-Publication DataJaeger. Richard cMicroelectronic circuit design/Richard C. Jaeger, Auburn University,Travis N. Blalock, University of Virginia. --Fifth editionpages cmIncludes bibliographical references and indexISBN978-0-07-352960-8(alk. paper)-ISBN0-07-338045-8(alk. paper)d 1. Integrated circuits--Design and construction. 2. Semiconductors--Design and construction. 3. Electronic circuitesign. I. Blalock, Travis N. Il. TitleTK7874.J3332015621.3815-dc232014040020The Internet addresses listed in the text were accurate at the time of publication. The inclusion of a website does not indicatean endorsement by the authors or McGraw-Hill Education, and McGraw-Hill Education does not guarantee the accuracy ofthe information presented at these siteswww.mhhe.comTOTo Joan, my loving wife and life long partnerRichard C. JaegerIn memory of my father, Professor Theron vaughnBlalock, an inspiration to me and to the countlessstudents whom he mentored both in electronicdesign and in life.Travis n blalockBRIEF CONTENTSPreface xxChapter-by-Chapter Summary XXV12 Operational Amplifier Applications 685PART ONE13 Small-Signal Modeling and LinearSOLID-STATE ELECTRONICS AND DEVICESAmplification 77014 Single-Transistor Amplifiers 8411 Introduction to Electronics 32 Solid-State Electronics 4115 Differential Amplifiers and Operational Amplifier3 Solid-state Diodes and Diode circuits 72Design 9524 Field-Effect Transistors 14416 Analog Integrated Circuit Design Techniques 10315 Bipolar Junction Transistors 21517 Amplifier Frequency Response 111318 Transistor Feedback Amplifiers andPART TWOOscillators 1217DIGITAL ELECTRONICSAPPENDICES6 Introduction to Digital Electronics 2837 Complementary MOS (CMOS) Logic Design 359A Standard Discrete Component Values 12918 MOS Memory Circuits 414B Solid-State Device Models and sPIce simulationParameters 12949 Bipolar Logic Circuits 455C TWo-Port Review 1299PART THREIndex 1303ANALOG ELECTRONICS10 Analog Systems and Ideal OperationalAmplifiers 51711 Nonideal Operational Amplifiers and FeedbackAmplifier Stability 587CONTENTSPreface xxCHAPTER 2Chapter-by-Chapter Summary XXVSOLID-STATE ELECTRONICS 41PART ONE2.1 Solid-State Electronic materials 432.2 Covalent bond model 44SOLID-STATE ELECTRONICS2.3 Drift Currents and mobility inAND DEVICES 1Semiconductors 472.3.1 Drift Currents 47CHAPTER 12.3.2 Mobility 48INTRODUCTION TO ELECTRONICS 32.3.3 Velocity Saturation 482.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 491.1 A Brief History of Electronics: From2.5 Impurities in Semiconductors 50Vacuum Tubes to Giga-Scale Integration 52.5.1 Donor Impurities in silicon 511.2 Classification of Electronic Signals 82.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 511.2.1 Digital signals 92.6 Electron and hole concentrations in1.2.2 Analog Signals 9Doped semiconductors 511.2.3 A/D and D/A Converters--Bridging2.6.1Type Material (ND >NA)52the analog and Digital2.6.2 p-Type Material (N,A>ND)53Domains 102.7 Mobility and Resistivity in Doped1.3 Notational conventions 12Semiconductors 541.4 Problem-Solving Approach 132.8 Diffusion currents 581.5 Important Concepts from Circuit2. 9 Total Current 59Theory 152.10 Energy Band Model 601.5.1 Voltage and current Division 152.10.1 Electron-Hole pair generation in1.5.2 Thevenin and norton circuitan intrinsic semiconductor 60Representations 162.10.2 Energy Band Model for a Doped1.6 Frequency Spectrum of ElectronicSemiconductor 61Signals 212.10.3 Compensated semiconductors 611.7 Amplifiers 222.11 Overview of Integrated circuit1.7.1 Ideal operational amplifiers 23Fabrication 631.7.2 Amplifier Frequency Response 25Summary 661.8 Element Variations in Circuit Design 26Key Terms 671.8.1 Mathematical modeling ofReference 68Tolerances 26Additional Reading 681.8.2 Worst-Case Analysis 27Problems 688.3 Monte Carlo analysis 291.8.4 Temperature Coefficients 32CHAPTER 31.9 Numeric Precision 34SOLID-STATE DIODES AND DIODE CIRCUITS 72Summary 34Key Terms 353.1 The pn Junction Diode 73References 363.1.1 pn Junction Electrostatics 73Additional Reading 363.1.2 nternal diode currents 77Problems 363.2 The i-v Characteristics of the diode 78VIllContents3.3 The Diode Equation: A Mathematica3.15 Full-Wave Bridge Rectification 123Model for the diode 803.16 Rectifier Comparison and Design3.4 Diode Characteristics under reverse, ZeroTradeoffs 124and forward bias 833.17 Dynamic Switching Behavior of the Diode 1283.4.1 Reverse bias 833.18 Photo diodes, solar cells, and3. 4.2 Zero bias 83Light-Emitting Diodes 1293.4.3 Forward Bias 843.18.1 Photo diodes and3.5 Diode Temperature Coefficient 86Photodetectors 1293.6 Diodes under reverse bias 863.18.2 Power Generation from Solar Cells 1303.6.1 Saturation Current in real3.18. 3 Light-Emitting Diodes(LEDs)13Diodes 87Summary 1323.6.2 Reverse Breakdown 89Key Terms 1333.6.3 Diode model for the breakdownReference 134Region 90Additional Reading 1343.7 pn Junction Capacitance 90Problems 1343.7.1 Reverse bias 903.7.2 Forward Bias 91CHAPTER 43.8 Schottky Barrier Diode 933.9 Diode SPICE Model and layout 93FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1443.9.1 Diode Layout 944.1 Characteristics of the MOS Capacitor 1453.10 Diode Circuit Analysis 954.1.1 Accumulation Region 1463.10.1 Load-Line Analysis 964.1.2 Depletion Region 1473.10.2 Analysis Using the Mathematical4.1.3 Inversion Region 147Model for the diode 974.2 The nmos transistor 1473.10.3 The Ideal diode model 1014.2.1 Qualitative i-v Behavior of the3.10.4 Constant Voltage Drop Model 103NMOS Transistor 1483.10.5 Model Comparison and4.2.2 Triode Region Characteristics ofDiscussion 104the nmos transistor 1493.11 Multiple-Diode Circuits 1054.2.3 On Resistance 1523.12 Analysis of Diodes Operating in the4.2.4 Transconductance 153Breakdown Region 1084.2.5 Saturation of the i-v3.12.1 Load-Line Analysis 108Characteristics 1543.12.2 Analysis with the Piecewise4.2.6 Mathematical model in theLinear model 108Saturation (Pinch-off)3.12.3 Voltage regulation 109Region 1553.12.4 Analysis Including Zener4.2.7 Transconductance in saturation 156Resistance 1104.2.8 Channel-Length Modulation 1563.12.5 Line and Load Regulation 1114.2.9 Transfer characteristics and3.13 Half-Wave Rectifier Circuits 112Depletion-Mode MosFETs 1573.13.1 Half-Wave Rectifier with resistor4.2.10 Body Effect or SubstrateLoad 112Sensitivity 1593.13.2 Rectifier Filter Capacitor 1134.3 PMOS Transistors 1603.13.3 Half-Wave Rectifier with rc load 1144.4 MOSFET Circuit Symbols 1623. 13.4 Ripple Voltage and Conduction4.5 Capacitances in MOS Transistors 165Interval 1154.5.1 NMOs Transistor Capacitances in3.13.5 Diode Current 117the Triode region 1653.13.6 Surge Current 1194.5.2 Capacitances in the Saturation3.13.7 Peak-Inverse-Voltage(PlV)Rating 119Region 1663.13.8 Diode Power Dissipation 1194.5.3 Capacitances in Cutoff 1663.13.9 Half-Wave Rectifier with Negative4.6 MOSFET Modeling in SPICE 167Output Voltage 1204.7 MOS Transistor Scaling 1683.14 Full-Wave Rectifier Circuits 1224.7.1 Drain Current 1693. 14.1 Full-Wave Rectifier with Negative4.7.2 Gate Capacitance 169Output Voltage 1234.7.3 Circuit and power densities 169ContentsIX4.7.4 Power-Delay Product 1705.3 The pnp Transistor 2234.7.5 Cutoff Frequency 1705.4 Equivalent Circuit Representations for the4.7.6 High Field Limitations 171Transport Models 2254.7.7 The unified mos transistor model5.5 The i-v Characteristics of the bipolarIncluding High Field Limitations 172Transistor 2264.7.8 Subthreshold conduction 1735.5.1 Output Characteristics 2264.8 MOs Transistor Fabrication and layout5.5.2 Transfer characteristics 227Design Rules 1745.6 The Operating Regions of the Bipolar4.8.1 Minimum Feature size andTransistor 227Alignment Tolerance 1745.7 Transport Model Simplifications 2284.8.2 Mos Transistor Layout 1745.7.1 Simplified Model for the Cutoff4.9 Biasing the NMOS Field-EffectRegion 229Transistor 1785.7.2 Model Simplifications for the4.9.1 Why Do We Need Bias? 178Forward-Active Region 2314.9.2 Four-Resistor Biasing 1805.7.3 Diodes in Bipolar Integrated4.9.3 Constant Gate-Source VoltageCircuits 237Bias 1845.7.4 Simplified Model for the4.9.4 Graphical analysis for theReverse-Active Region 238Q-Point 1845.7.5 Modeling Operation in the4.9.5 Analysis Including Body Effect 184Saturation Region 2404.9.6 Analysis Using the Unified5.8 Nonideal Behavior of the bipolarModel 187Transistor 2434.10 Biasing the PMos Field-Effect Transistor 1885.8.1 Junction Breakdown Voltages 2444.11 The junction Field-Effect Transistor5.8.2 Minority-Carrier Transport in theUFET190Base Region 2444.11.1 The JFET With Bias Applied 195.8.3 Base Transit time 2454.11.2 JFET Channel with Drain-Source5.8.4 Diffusion Capacitance 247Bias 1935.8.5 Frequency Dependence of the4.11.3 n-Channel jfet i-v Characteristics 193Common-Emitter current gain 2484.11.4 The p-Channel JFET 1955.8.6 The Early Effect and Early4.11.5 Circuit Symbols and JFET ModelVoltage 248Summary 1955.8.7 Modeling the Early Effect 2494.11.6 JFET Capacitances 1965.8.8 Origin of the Early Effect 2494.12 JFET Modeling in Spice 1965.9 Transconductance 2504.13 Biasing the JFET and Depletion-Mode5.10 Bipolar Technology and sPiCe Model 251MOSFET 1975.10.1 Qualitative Description 251Summary 2005.10.2 SPICE Model Equations 252Key Terms 2025.10.3 High-Performance BipolarReferences 202Transistors 253Problems 2035.11 Practical bias circuits for the bjt 2545.11.1 Four-Resistor bias network 256CHAPTER 55.11.2 Design Objectives for theBIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 215Four-Resistor bias network 2585.11.3 terative Analysis of the5.1 Physical Structure of the BipolarFour-Resistor bias circuit 262Transistor 2165.12 Tolerances in bias circuits 2625.2 The Transport Model for the npn5. 12.1 Worst-Case Analysis 263Transistor 2175. 12.2 Monte Carlo Analysis 2655.2.1 Forward Characteristics 218Summary 2685.2.2 Reverse Characteristics 220Key Terms 2705.2.3 The Complete Transport ModelReferences 270Equations for Arbitrary BiasProblems 271Conditions 221

希尔伯特-黄变换的程序MATLAB以及原理解释等

本文档适合广大的一线教师及有需要的C++小白，有需要的拿去，不谢！

【实例简介】蚁群算法的源代码，基于JAVA实现。附带两个TSP数据文件。。。。

一套关于指纹识别的，我带的本科生毕业设计，现在发上来给大家共享，有这方面研究的绝对是好材料。程序中有指纹图像的归一化，图像分割，图像增强，方向图，细化，特征提取，伪特征去除，特征匹配等等。

该文档是我总结的c++笔试面试通常会问的一些问题。另外可以从我的资源目录下找c++数据结构与算法，c++笔试面试基础两部分材料，综合这三个材料一起看，我相信大家一定尽快找到工作。ClientServerFIN WAIT 1IFIN MCLOSE WAITack M+1FIN WAIT 2LAST ACKFIN NTIME WAITACK=1 ack=K+CLOSEDm由于TCP连接是全双工的,因此,每个方向都必须要单独进行关闭,这一原则是当一方完成数据发送任务后,发送个FIN来终止这·方向的连接,收到个FIN只是意味着这方向上没有数据流动了,即不会再收到数据了,但是在这个TCP连接上仍然能够发送数据,直到这一方向也发送了FIN。首先进行关闭的一方将执行主动关闭,而另一方则执行被动关闭,上图描述的即是如此第一次挥于Client发送个HN,用来关闭 Client到 Server的数据传送, Client进入 FIN WA1状第二次挥手Server收到FIN后,发送一个ACK给 Clien,确认序号为收到序号+1(与SN相同,一个FIN占用一个序号), Server进入 CLOSE WAIT状态。第三次挥手Server发送一个FIN,用来关闭 Server到 Client的数据传送, Server进入 LAST ACK状态。第四次挥手Client收到FIN后, Client进入 TIME WAIT状态,接着发送一个ACK给 Server,确认序号为收到序号+1, Server进入CL0SED状态,完成四次挥手。5.tcp为什么建立连接是三次握手,而关闭连接却是四次挥手呢?当主杋A确认发送完数据且知道B已经接受完了,想要关闭发送数据口(当然确认信号还是可以发),就会发FN给主机B;主机B收到A发送的F⊥N,表示收到了,就会发送ACK回复;但这是B可能还在发送数据,没有想要关闭数据口的意思,所以FⅣN与ACK不是同时发送的,而是等到B数据发送完了,才会发送FIN给主机A:;A收到B发米的FIN,知道B的数据也发送完∫,回复ACK,A等待2MSL以后,没有收到B传来的任何消息,知道B已经收到自己的ACK了,A就关闭链接,B也关闭链接了。6.TCP头大小,包含字段?TCP协议头最少20个字节,包括TCP的源端口,目的端口,序列号,应答号等等。7.tcp与udp的区别?为什么TCP要叫做数据流?1).基于连接与无连接2).对系统资源的要求(TCP较多,UDP少)3).UDP程序结构较简单4).流模式与数据报模式5).TCP保证数据正确性,UDP可能丢包,TCP保证数据顺序,UDP不保证6).TCP有拥塞控和流量控制,UDP没有TCP提供的是面向连接、可靠的字节流服务。当客户和服务器彼此交换数据前,必须先在双方之间建立一个TCP连接,之后才能传输数据。TCP提供超时重发,丟弃重复数据,检验数据,沇量控制等功能,保证数据能从端传到另·端UDP是一个简单的面向数据报的运输层协议。∪DP不提供可靠性,它只是把应用程序传给IP层的数据报发送出去,但是不能保证它们能到达目的地。山于UDP在传输数据报前不用在客户和服务器之间建立一个连接,且没有超时重发等机制,故而传输速度很快8使用udp和tcp进程网络传输,为什么tcp能保证包是发送顺序,而udp无法保证?因为TCP发送的数据包是按序号发送,有确认机制和丢失重传机制,而udp是不可靠的发送机制,发送的对应端口的数据包不是按顺序发送的。9tcp三次握手的, accept发生在三次握手哪个阶段?三次握手:C--->SYNK>ACK K+1 SYN JC->ACK]+1DONELclient的 connect引起3次握于server在 socket,bind, listen后,阻塞在 accept,三次握手完成后, accept返回一个fd,TCP服务器端sackettTC客户端bindosten)connecto建立连接阻寒直到有客户端连接请求数据writereadr处理请求回应数据readr结束连接readr yclose10.流量控制和拥塞控制的实现机制数据的传送与接收过程当中很可能出现收方来不及接收的情况,这时就需要对发方进行控制,以免数据丢失。流量控制是一种解决发送端与接收方吞吐量不匹配问题的机制。网络拥瘧现象是指到达通信了网中杲部分的分组数量过多,使得该部分网络来不及处理,以致引起这部分乃至整个冈络性能下降的现象,严重时甚至会导致网络通信业务陷入停顿即出现死锁现象。拥塞控制是处理网络拥塞现象的一种机。11.滑动窗口的实现机制滑动窗凵机制是tcp流量控制的一种机制。滑动窗口分为发送窗凵和接收窗口,发送窗口会根据接受窗口返回的ack中的大小来确定发送数据多少,如果ack返回可接受为零时,发送窗口不发送数据,然后启动定时器,一定时间内给接收端发送探测报文。为了传递效率提扃,发送数据吋会尽量次发送多个字节,这里会通过算法控制接收窗口发送窗口接收窗口取决发送窗口取决于对于本段应用端接收窗囗应用应用接收窗口取决发送窗口取决于对于本段应用端接收舍口发送窗口接收窗口字节流方向窗囗关联方问发送窗口中的四个概念:已发送并收到确认;凵发送但未收到确认;允许发送但未发送;不允许发送。每次成功发送完数据后,发送窗口都会根据接受窗口返冋的ack大小来调整窗口大小后浩前沿前移收缩前移A的发送窗凵=20E区图国时国时网國國回回区画乎图已发送井不允许发送收到确认允许发送的序号B期望收到的序号图5-15根据B给出的窗口值,A构造出自己的发送窗口12. linux的五种I0模式/异步模式1)同步阻塞I/O2)同步非阻塞I/O(只能阻塞个io)3)同步I/O复用模型(可以阻塞多个i,用一个进程/线程调用多个io,其实是复用进稈/线程)4)同步信号驱动I/O5)异步I/O模型3.网络编程设计模式, reactor/ proactor/半同步半异步模式?reactor模式:同步阻塞I/O模式,注册对应读写事件处理器,等待事件发生进而调用事件处理器处理事件。 proactor模式:异步I/O模式。 Reactor和 Proactor模式的主要区别就是真正的读取和写入操作是有谁来完成的, Reactor中需要应用程序自己读取或者写入数据, Proactor模式中,应用程序不需要进行实际读写过程。Reactor是:主线程往epo‖l核上注册 socket读事件,上线程调用 epoll_wait等待 socket上有数据可读,当 socket上有数据可读的时候,主线程把 socket可读事件放入请求队列。睡眠在请求队列上的某个工作线程被唤醒,处理客户请求,然后往epo‖!内核上注册 socket写请求事件。主线程调用 epoll_wait等待写请求事件,当有事件可写的时候,主线程把 socket可写事件放入请求队刎。睡眠在请求队列上的工作线程被唤醒,处理客户请求。Proactor主线程调用 aio read函数向内核注册 socket上的读完成事件,并告诉内核用广读缓冲区的位置,以及读完成后如何通知应用程序,主线程继续处理其他逻辑,当 socket上的数据被读入用户缓冲区后,通过信号告知应用程序数据已经可以使用。应用程序预先定义好的信号处理凼数选择一个工作线程来处理客户请求。工作线程处理完客户请求之后调用ao wrⅰte函数向内核注册 socke写完成事件,并告诉内核写缓冲区的位置,以及写完成时如何通知应用程序。主线程处玛其他逻辑。当用户缓存区的数据被写入 socket之后内核向应用程序发送一个信号,以通知应用程序数据已经发送完毕。应用程序预先定义的数据处理函数就会完成工作。半同步半异步模式上:层的任务(如:数据库查询,文件传输)使用同步IO模型,简化了编写并行程序的难度而底层的任务(如网络控制器的中断处理)使用异步I/O模型,提供了执行效率14.1inux下io多路复用的方案 select、poll、epol1的区别select:利用一个数组结构(最大1024)来存储需要检测的描述符,每次调用需要清空数组结构后重新存入新的描述符文件,然后遍历需要操作的描述符。可以用仨检测单个描述符可以理解为拉取pol:也是利用数组结构存储,但是没有描述符个数限制,而且每次调用时不需要清空存储描述符结构数组。可以用于检测大量描述符的情况。可以理解为拉取epoll:是 select/po!的升级版本,它的机制是可以监视大量的描述符,当有需要连接时将改描述符存放到队列中,而epol只监视和执行队列中即可。可以用于大量并发连接中只有少量活跃的情况。可以理解为推送http://blog.csdnnet/lookatthestars/article/details/5210877315.epo11哪些触发模式,有啥区别?(必须非常详尽的解释水平触发和边缘触发的区别,以及边缘触发在编程中要做哪些更多的确认epo‖有EPoL和 EPOLLET两种触发模式,LT是默认的模式,ET是高速"模式。LT模式下,只要这个fd还有数据可读,每次 epoll_wait都会返回它的事件,提醒用户稈序去操作,而在ET(边缘触发)模式中,它只会提示一次,直到下次再有数据流入之前都不会再提小」,无论fd中是否还有数据可读。所以在ET模式下,read一个fd的时候一定要把它的 buffer读光,也就是说一直读到read的返回值小于请求值。也就是说在LT模式的情况下‘定要确认收发的数据包的 buffer是不是足够大如果收发数据包大小大于 buffer的大小的时侯就可能会出现数据丢失的情况。16. Boost.asio、 libevent、1ibev简介。Boost.asio是一个跨平台的C++库,用于网络和底层I/0编程,可以在I/0对象(如socket)上执行同步和异步操作。 boost.asio的跨平台性原理是在win系统(支持I0CP)linux系统(支持epo11)。 boost:asio将整个异步平台抽象成 boost::asio: lo service,用work控制 1o service生命周期,通知它是否结束,只要对象work( 1o servi ce)存在,10 service就不会结束。利用 buffer类存储数据libevent是一个C语言与的网络库,官方主要支持的是类 linux操作系统,最新的版本添加了对 windows的I0CP的支持由于I0CP是异步I0,与 linux下的POL模型, EPOLL型,还有 freebsd的 KQUEUE等这些同步模型在用法上完全不一致,所以使用方法也不样,就好比ACE中的 Reactor和 Proactor模式一样,使用起来需要转变思路。如果对性能没有特别的要求,那么使用 Libevent中的 select模型来实现跨平台的操作, select模型可以橫跨 windows, linux,unix, solaris等系统。libel是一个C语言写的,只支持1inux系统的库,我以前研究的时候只封装了EPOL模型,不知道现在的新版有没有改进。使用方法类似 libevent,但是非常简洁,代码量是最少的一个库,乜貮几千行代码。显然这样的代码跨平台肯定是无法支持的了,如果你只需要在1inux下面运行,那用这个库也是可以的。17. connect可能会长时间阻塞,怎么解决?1.使用定时器;(最常用也最有效的·种方法2.采用非阻塞模式:设置非阻塞,返回之后用 select检测状态18. keepalive是什么东西?如何使用?keepalive,是在TCP中一个可以检测死连接的机制。1).如果主机可达,对方就会响应ACK应答,就认为是存活的。2).如果可达,但应用程序退岀,对方烑发RST应答,发送TCP撤消连接。3).如果可达,但应用程序崩溃,对方就发FIN消息。4).如果对方主杋不响应ack,rst,继续发送直到超时,就撤消连接。默认二个小时。19. socket什么情况下可读?1. socket接收缓冲区中己经接收的数据的字节数大于等于 socket接收缓冲区低潮限度的当前值;对这样的 socket的读操作不会阻塞,并返回一个大于0的值(准备好读入的数据的字节数)2连接的读一半关闭(即:接收到对方发过来的FIN的TCP连接)并且返回03.s0cket收到了对方的 connect请求已经完成的连接数为非0这样的 socket处于可读状态;4.异常的情况下 socket的读操作将不会阻塞,并且返同一个错误(-1)。20. socket编程,如果 client断电了,服务器如何快速知道?使用定时器(适合有数据流动的情况);使用sock吐t选项SO_ KEEPALIVE(适合没有数据流动的情况);1)、自己编写心跳包程序,简单的说就是自己的程序加入一条线程,定时向对端发送数据包,看是否有ACK,根据ACK的返回情况来管理连接。此方法比较通用,般使用业务层心跳处理,灵活可控,但改变了现有的协议2)、使用TCP的 keepalive机制,∪NX网络编程不推荐使用SO_ KEEPALIVE米做心跳检测。keepalive原理:TCP内嵌有心跳包,以服务端为例,当 serve检测到超过一定时间(/proc/sys/net/ipv4/tcp_ keepalive_ time7200即2小时)没有数据传输,那么会向client端发送一个 keepalive packet21.如果 select返回可读,结果只读到0字节,什么情况?某个套接字集合中没有准备好,可能会 select内存用 FD CLR清为0.22.网络中,如果客户端突然掉线或者重启,服务器端怎么样才能立刻知道?若客户端掉线或者重新启动,服务器端会收到复位信号,每一种tcp/ip得实现不一样,控制机制也不·样。23.TTL是什么?有什么用处,通常那些工具会用到它?ping? traceroute? ifconfig?netstat?TTL是 Time to live,每经过一个路由就会被减去一,如果它变成0,包会被丢掉。它的主要目的是防止包在有回路的网络上死转,浪费网络资源。ping和 traceroute用到它。24请说出http协议的优缺点1.支持客户/服务器模式。2.简单快速:客户向服务器请求服务吋,只需传送请求方法和路径,通信速度很快。3.灵活:HTTP允许传输任意类型的数据对象。4.无连接:无连接的含义是限制每次连接只处理一个请求。服务器处理完客户的请求,并收到客户的应答后,即断廾连接。采用这种方式可以节省传输时间。5.无状态:HTTP协议是无状态协议。无状态是指协议对于事务处理没有记忆能力。缺少状态意味着如果后续处理需要前面的信息,则它必须重传,导致每次连接传送的数据量增大。缺点就是不够安全,可以使用hps完成使用25大规模连接上来,并发模型怎么设计Epol1+线程池(epo11可以采用 libevent处理)26.tcp怎么做到不丢包。TCP提供超时重发(每一个seq后都有ack,计时时间到后重发seq),丢重复数据(通过判断seq和ack的大小,如果seq比ack小说明发过了),检验数据(通过tcp的伪首部),流量控制(利用滑动窗口实伣流量控制)等功能,保证数据能从一端传到另一端。27.TCP的确认重发机制A发—B/a向b发送数据B确认-A//b收到数据后发送给a确认包A-在重发数据中将发送成功的数据删掉28.I0CP和epo1l的联系与区别?联系:两者都是高效的io模型,都是基于事件驱动。区别:TOCP用在 Windows上,epo11用在1inux上;IQCP本质是异步非阻塞的,而epo1l是同步非阻塞的;1OCP是当事件完成时再通知,而 epoll是当事件满足处理要求是通知处理。boost中的asio网络模块的跨平台性原理是在win系统(支持IOCP),1inuκ系统(支持epollhttps://yg.aliyun.com/articles/53621进程与线程1.进程之间的通信无名管道:单向通信,只能亲戚关系才能传递,般用在父了进程之间有名管道:单向通信,可以用在任意两个进程之间通信。信号量:是一种计数器,主要用于资源共亨,用在多个进程或者进程内多个线程之间同步手段共享内存:一个进程创建共多个进程使用,和信号一起使用在进程同步与通信。信号:比较复朵的·种通信。套接字:消息队列:客服信号传递信息少,管道缓冲区受限。2.线程同步临界区,互斥对象,事件,信号量3.多线程和多进程的区别1)进程数据是分丌的:共享复岽,需要用IPC,同步简单;多线程共享进程数据:共享简单,同步复杂2)进程创建销毁、切换复杂,速度慢:线程创建销毁、切换简单,速度快3)进程占用内存多,CPU利用率低;线程占用内存少,CPU利用率高4)进程编程简单,调试简单;线程编程复杂,调试复杂5)进程间不会相互影响;线程个线程挂掉将导致整个进程挂抻6)进程适应于多核、多机分布;线程适用于多核线程所私有的:线程jd、寄存器的值、栈、线程的优先级和调度策略、线程的私有数据、信号屏蔽字、ero变量。4.多线程锁的种类有哪些?a.互斥锁( mutex)b.递归锁C.自旋锁d.读写锁5.自旋锁和互斥锁的区别?白旋锁中当锁被其他线程占用时,其他线程并不是睡眠状态,而是不停的消耗CPU,获取锁;互斥锁则不然,保持睡眠,直到互斥锁被释放溦活。自旋锁,递归调用容易造成死锁,对长时间才能获得到锁的情况,使用自旋锁容易造成CPU效率低,只有内核可抢占式或SMP情况下才真正需要自旋锁6.多线程程序架构,线程数量应该如何设置?应尽量和CPU核数相等或者为CPU核数+1的个数7.有一个计数器,多个线程都需要更新,会遇到什么问题,原因是什么,应该如何做?如何优化?有可能一个线程更新的数据已经被另外一个线程更新了,更新的数据就会出现异常,可以加锁,保证数据史新只会被一个线程完成

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输入灰度图像,RGB彩色图像会自动转换为灰度图像输出图像的多重分形谱参考文献："fractal analysis and multifractal spectra for the images"