visio元件库（电路内部元件）

代码说明：闲来无事整理SDI（单文档）界面，供大家探讨，有不足或错误处，望大家谅解编译环境：1，采用 VS2010 编辑， 没打补丁的 请自助补丁实现功能：1，创建标题栏按钮，创建标题栏栏菜单按钮，状态栏的实现2，去掉SDI窗口 菜单 和 工具栏3，将窗体分割，左边一行一列，右边三行一列4，左边加载 tabview 且实现了加载formview ，listview动态加载 treeview 和 删除 treeview 功能5，右上加载 richeditview6，右中加载 tabview 且实现了加载listview ，treeview7，右下加载 formview

elsevier 爱思唯尔 系列期刊的word模板，单栏，双栏，包括2个文件，一个是单栏的word，另一个是双栏的word。

用于图像分割的自适应扩散流活动轮廓，Matlab程序已经调好，自己加载图片即可

SHT30 温度、湿度传感器 STM32F130ZET6 HAL 库例程 100%可以使用

QT开发的能够接收串口数据并将其转化为波形同步实时显示的上位机，很不错的一个小例子，非常值得去研究去学习。源代码写的很不错，值得去好好学习。

英集芯移动电源芯片的IIC寄存器手册，不是数据手册。支持IP5209/IP5109/IP5207/IP5108等芯片，有详细的寄存器地址说明。英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51086、12C通讯波形介绍SDANOURMSBAcknowleAcknowledgementSignal From ReceiverSignal From Receiver8Condition(S)RW ACKACK Condition(Py1 2c master写的时候,先传8bit数据,第9个bit读save返回的ack,ack为低代表写入成功,为高代表写入不成功。l2 c master读的时候,最后一个byte传输是 slave返叵数据, master返回nack(高电平),代表读结束:如果 master返回的是ack(低电平),则说明读没有结束, master会继续读所以第九个bit的ack信号要看 master端是读操作还是写操作:因为IP5209/P5109/P5108/P5207只能做save如果往1P5209/P5109/P5108/P5207寄存器写入数据,P5209/P5109/P5108/P5207返回ack为低电平;如果从P5209/P5109/P5108/P5207读取数据,IP5209/|5109/P5108/P5207返回nack高电平),( master必须发NACK,否则会有异常)代表读结束(英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51083、寄存器功能描述标示为“ Reserved”的寄存器位有特殊控制作用,不可改变原有的值,否则会出现无法预期的结果。对寄存器的操作必须按照“读-→>修改-->写”来进行,只修改要用到的bit,不能修改其他未用bit的值。1.1 SYS CTLOOffset= Ox01Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved手电筒检测是否使能RW1. enableO: disableLight enableRW0: disable1 enableBoost enableRW1O: disable1: enableCharger enableRWO disable1: enable0Reserved1.2 SYS CTL1Offset=0x02Bit(sNameDescriptionResetReserved轻载关机使能(0c可设定轻载关机阙|R/W值1:使能| BATLOW轻载关机功能0:关闭 BATLOW轻载关机功能负载插入自动开机R/W1:使能0:关闭英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.3 SYS CTL2Offset =0x0cBit(s)NameDescriptionR/WReset7:3轻载关机电流阈值设定RW00100n * 12mA当BAT电流小于设定阈值时,持续325米机注意:此电流设定阈值需要大于100mA2:0Reserved1. 4 SYS CTL3Offset=0x03it (s)NameDescriptionR/WReset7:6长按按键时间选择010:1S01:2s10:3S11:4S1:连续两次短按(两次短按在15内)R1关札功能使能O:连续两次短按(两次短按在15内)关机功能关闭4:0Reserved1.5 SYS CTL4Offset =0x04Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:6关机时间设定R/W11:64s10:3201:16s00:8sV|N拔出是否开启 BOOST11:开启0:不开启4:0Reserved(i)英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.6 SYS CTLSOffset = 0x07Bit(s)NameDescriptionR/WResetReservedNNTC功能使能R/W:使能1:关闭ReservedR/W按键开关WLED于电筒方式选择:0:长按251:短按两次按键0按键关机方式选择:R/W0:短按两次按键1:长按251.7 Charger_ CTIOffset=0x22Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved3:2充电欠压环设定(充电时输出端voUT的R/电压)11:4.83V10:4.73V01:4.63V00:4.53V注:在充电的时候C会检测输出voUT的电压来自动调整充电电流,当VOUT的电压大于改置值时就以最大电流对充电充电,小于设定值时就自动减小充电电流以维持此电压;如果客户要求边充边放状态下可在输出端加采样电阻检测边充边放状态输出端的负载电流大于100mA时可把欠压环设置为最高,优先对外部负载充电1:0Reserved英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.8 Charger CTL2Offset=0x24Bit(s)NameDescriptionR/WResetReserved6:5BAT电池类型选择R/W0011: RESERVED10:4.35V电池01:43V电池00:4.2V电池4:3RESERVED2:1恒压充电电压加压设置1011:加压4210:加压28mV1:加压1400:不加压注:4.30V/4.35V建议加压14mV;4.2V建议加压28mV;如果客户需要支持44V的电芯,可以在435V电池的基础上选择加压48mV,充饱由MCU检测到电池电压大于44V,电流小于200MA才认为是电芯充饱了Reserved1.9 CHG DIG cTL4Offset = 0x26Bit(s)NameDescriptionR/WResetReserved电池类型内部寄存器设定还是外部setP|设定|RW选择1:外部 VSET PIN设置内部寄存器设置如果是该bit为0,可通过0x24寄存器的bit6:5来设定电池类型5:0Reserved英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.10 CHG DIG CTL4Offset=0x25Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved充电电流设置(设置为电氾端电流)R/W10111lbat=b0*0.1+b1*0.2+b2*0.4+b3*08+b4*1.6A注:默认值为1011123A左右1.11 MEP CTLOOffset = 0x51it (s)NameDescriptionR/WReset7:6Reserved5: 4 LIGHT selLGHT功能选择R/W0000: WLED01: GP10210: VREF11: Reserved3: 2 L4_selL4的功能选择R/W00:L401:GP|o110: Reserved11: Reserved1:0L3_seL3的功能选择R/W01: GPIO010: Reserved11: Reserved1.12 MFP CTL1Offset=0x52sit(s)NameDescriptionR/WReset7:4ReservedR/W3: 2 VSET selVSET功能选择W0000:电池电压选择PN)英集应利P5209/P5109/P5207/P510801: GP10410: Reserved11: Reserved1: 0 RSET seRS氏T功能选择R/W0000:电池内阻选择PN01:GP|O310: Reserved11: Reserved1.13 GPIO CTL2Offset =0x53 default oxoBit(sNameDescriptionR/WReset7:5Reserved4:0 GPIO_ INEN GPIO[4: 0]input enableRW00: Disable1: Enable1.14 GP0 CTL2Offset= Ox54 default oxoBits)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved4: 0 GPIO_OUTEN GPIO[4: ]output enableRW00: Disable1: Enable在丌启 Output之前,需要先将data配好1.15 GPO CTL3Offset =0x55Bit(s)NameDescriptionR/w Reset7:5Reserved4:0 GPIO DATGPIO[4: 0]DATAR/W0(i)英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51082.1 BATVADC DATOOffset =Oxa2Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:0 BATVADO7:| BATVADC数据的低8bitRO2.2 BATVADC DAT1Offset Oxa3Bit(s)NameDescriptionR/VReset7:6Reserved5:0 BATVADC[13: BATVADC数据的高6btR8]VBAT=BATVADC*0. 26855mv+2.6VBATVADC VALUE low =l2C Read Byte( 12C SLAVE ADDR, Oxa2);//low 8bitBATVADC VALUE high=12c Read Byte(I2C SLAVE ADDR, Oxa3); //high 6bitf( BATVADC VALUE high&0x20)=0x20)//补码BATVOL[=2600-("BATVADC VALUE low +((BATVADC vaLUe high & 0x1F)*256+1)*0.26855else//原码BATVOL[]=2600+(BATVADC VALUE low+BATVADC_ VALUE high *256)*0.26855; //mv 24i

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C#WEB用户令牌TOKEN验证，防止HTTP、GET、POST等提交包含服务端和客户端源码。Nginx集群，SSL证书的WebApi令牌验证

美赛必看建立了合理的数学模型并找到了有效的解题方法以后，写作就是关键的因素。《正确写作美国大学生数学建模竞赛论文》针对MCM/ICM论文的评审标准，讨论如何写好MCM/ICM论文，指出哪些内容是评委期待见到的，以及如何写作才能使评委能够在短时间内掌握论文的要点。具体内容包括论文结构、写作规范、英语用法、论文修改示例、符号与图表、数学表达式和句子以及数学编辑软件LATEX和MathType的使用等。

本文描叙了格雷互补序列在抑制峰值均功率比的方法，对格雷互补序列的原理做了相当详细的描叙，值得借鉴