IP5209IP5109IP5207IP5108寄存器手册.pdf
英集芯移动电源芯片的IIC寄存器手册,不是数据手册。支持IP5209/IP5109/IP5207/IP5108等芯片,有详细的寄存器地址说明。英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51086、12C通讯波形介绍SDANOURMSBAcknowleAcknowledgementSignal From ReceiverSignal From Receiver8Condition(S)RW ACKACK Condition(Py1 2c master写的时候,先传8bit数据,第9个bit读save返回的ack,ack为低代表写入成功,为高代表写入不成功。l2 c master读的时候,最后一个byte传输是 slave返叵数据, master返回nack(高电平),代表读结束:如果 master返回的是ack(低电平),则说明读没有结束, master会继续读所以第九个bit的ack信号要看 master端是读操作还是写操作:因为IP5209/P5109/P5108/P5207只能做save如果往1P5209/P5109/P5108/P5207寄存器写入数据,P5209/P5109/P5108/P5207返回ack为低电平;如果从P5209/P5109/P5108/P5207读取数据,IP5209/|5109/P5108/P5207返回nack高电平),( master必须发NACK,否则会有异常)代表读结束(英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51083、寄存器功能描述标示为“ Reserved”的寄存器位有特殊控制作用,不可改变原有的值,否则会出现无法预期的结果。对寄存器的操作必须按照“读-→>修改-->写”来进行,只修改要用到的bit,不能修改其他未用bit的值。1.1 SYS CTLOOffset= Ox01Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved手电筒检测是否使能RW1. enableO: disableLight enableRW0: disable1 enableBoost enableRW1O: disable1: enableCharger enableRWO disable1: enable0Reserved1.2 SYS CTL1Offset=0x02Bit(sNameDescriptionResetReserved轻载关机使能(0c可设定轻载关机阙|R/W值1:使能| BATLOW轻载关机功能0:关闭 BATLOW轻载关机功能负载插入自动开机R/W1:使能0:关闭英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.3 SYS CTL2Offset =0x0cBit(s)NameDescriptionR/WReset7:3轻载关机电流阈值设定RW00100n * 12mA当BAT电流小于设定阈值时,持续325米机注意:此电流设定阈值需要大于100mA2:0Reserved1. 4 SYS CTL3Offset=0x03it (s)NameDescriptionR/WReset7:6长按按键时间选择010:1S01:2s10:3S11:4S1:连续两次短按(两次短按在15内)R1关札功能使能O:连续两次短按(两次短按在15内)关机功能关闭4:0Reserved1.5 SYS CTL4Offset =0x04Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:6关机时间设定R/W11:64s10:3201:16s00:8sV|N拔出是否开启 BOOST11:开启0:不开启4:0Reserved(i)英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.6 SYS CTLSOffset = 0x07Bit(s)NameDescriptionR/WResetReservedNNTC功能使能R/W:使能1:关闭ReservedR/W按键开关WLED于电筒方式选择:0:长按251:短按两次按键0按键关机方式选择:R/W0:短按两次按键1:长按251.7 Charger_ CTIOffset=0x22Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved3:2充电欠压环设定(充电时输出端voUT的R/电压)11:4.83V10:4.73V01:4.63V00:4.53V注:在充电的时候C会检测输出voUT的电压来自动调整充电电流,当VOUT的电压大于改置值时就以最大电流对充电充电,小于设定值时就自动减小充电电流以维持此电压;如果客户要求边充边放状态下可在输出端加采样电阻检测边充边放状态输出端的负载电流大于100mA时可把欠压环设置为最高,优先对外部负载充电1:0Reserved英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.8 Charger CTL2Offset=0x24Bit(s)NameDescriptionR/WResetReserved6:5BAT电池类型选择R/W0011: RESERVED10:4.35V电池01:43V电池00:4.2V电池4:3RESERVED2:1恒压充电电压加压设置1011:加压4210:加压28mV1:加压1400:不加压注:4.30V/4.35V建议加压14mV;4.2V建议加压28mV;如果客户需要支持44V的电芯,可以在435V电池的基础上选择加压48mV,充饱由MCU检测到电池电压大于44V,电流小于200MA才认为是电芯充饱了Reserved1.9 CHG DIG cTL4Offset = 0x26Bit(s)NameDescriptionR/WResetReserved电池类型内部寄存器设定还是外部setP|设定|RW选择1:外部 VSET PIN设置内部寄存器设置如果是该bit为0,可通过0x24寄存器的bit6:5来设定电池类型5:0Reserved英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51081.10 CHG DIG CTL4Offset=0x25Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved充电电流设置(设置为电氾端电流)R/W10111lbat=b0*0.1+b1*0.2+b2*0.4+b3*08+b4*1.6A注:默认值为1011123A左右1.11 MEP CTLOOffset = 0x51it (s)NameDescriptionR/WReset7:6Reserved5: 4 LIGHT selLGHT功能选择R/W0000: WLED01: GP10210: VREF11: Reserved3: 2 L4_selL4的功能选择R/W00:L401:GP|o110: Reserved11: Reserved1:0L3_seL3的功能选择R/W01: GPIO010: Reserved11: Reserved1.12 MFP CTL1Offset=0x52sit(s)NameDescriptionR/WReset7:4ReservedR/W3: 2 VSET selVSET功能选择W0000:电池电压选择PN)英集应利P5209/P5109/P5207/P510801: GP10410: Reserved11: Reserved1: 0 RSET seRS氏T功能选择R/W0000:电池内阻选择PN01:GP|O310: Reserved11: Reserved1.13 GPIO CTL2Offset =0x53 default oxoBit(sNameDescriptionR/WReset7:5Reserved4:0 GPIO_ INEN GPIO[4: 0]input enableRW00: Disable1: Enable1.14 GP0 CTL2Offset= Ox54 default oxoBits)NameDescriptionR/WReset7:5Reserved4: 0 GPIO_OUTEN GPIO[4: ]output enableRW00: Disable1: Enable在丌启 Output之前,需要先将data配好1.15 GPO CTL3Offset =0x55Bit(s)NameDescriptionR/w Reset7:5Reserved4:0 GPIO DATGPIO[4: 0]DATAR/W0(i)英集匙利技INJOINIC TECHNOLOGYP5209/P5109/P5207/P51082.1 BATVADC DATOOffset =Oxa2Bit(s)NameDescriptionR/WReset7:0 BATVADO7:| BATVADC数据的低8bitRO2.2 BATVADC DAT1Offset Oxa3Bit(s)NameDescriptionR/VReset7:6Reserved5:0 BATVADC[13: BATVADC数据的高6btR8]VBAT=BATVADC*0. 26855mv+2.6VBATVADC VALUE low =l2C Read Byte( 12C SLAVE ADDR, Oxa2);//low 8bitBATVADC VALUE high=12c Read Byte(I2C SLAVE ADDR, Oxa3); //high 6bitf( BATVADC VALUE high&0x20)=0x20)//补码BATVOL[=2600-("BATVADC VALUE low +((BATVADC vaLUe high & 0x1F)*256+1)*0.26855else//原码BATVOL[]=2600+(BATVADC VALUE low+BATVADC_ VALUE high *256)*0.26855; //mv 24i
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Gabor小波+PCA+LDA特征提取方法的人脸表情识别
基于Gabor小波+PCA+LDA特征提取方法的人脸表情识别 论文机电技术2011年12月(k)(×()4eXp|-0.5(0(4)-2×3.1415926)×U第四步:初始模型确定下来以后,采用则将该待识别人脸表情判别为第讠类表情Baum- Welch算法对参数进行重估计,选代调整模人脸表情实验及分析型参数以达最优化。这样就完成了训练建模工作,获得了在粗分本文在JAFE( Japanese Female Facial Expre-类层次下代表7种人睑表情的IMM模型sion)表情数据库中进行实验。 JAFFE人脸表情库a1=(A,B,)(=1,2,…,7)10个人,共213幅图像组成,每人都包含愤怒、23HMM人脸表情分类厌恶、恐惧、髙兴、悲伤、惊讶和中性7种表情,对待识别的人脸表情图像,按本节22中模型每人每种表情2~4幅,每和表情共有27幅本文实验与 Mihcac等的测试方法相似,把数训练步骤的第一步获得观察向量O,然后计算观据库中的210图像分成3个部分,每个部分包含察向量O与已训练好的HMM模型A1=(A,B,z)10个人,且每个人包含7幅不同表情图像,每次使的似然概率P(O|λ)(=,2,…,7)。通过用其中的一个部分训练各个表情的HMM模型,剩Forward-Backward算法来计算似然概率,如果下的两个部分用来测试。循环操作3次,然后对这P(O|A1),i∈(1.2,…,)在P(OA)(=1,2,…,7)3次取平均值,得出表情识别率。本方法获取的表中最人,即情识别率见表1P(Ol, )=max p(ola)表1人脸表情识别结果愤怒厌恶恐惧高兴中性悲伤惊讶识别率/愤怒厌恶恐惧5591高兴中性悲伤0201100095.00020惊讶05693.33整体识别率92.14从表1中可以看出,本方法可以获得较好的表高的问题,提出了一种新的人脸表情识别方法。情识别率,但是,从实验中也可发现,不管是有本方法通过更加有效的 Gabor小波+PCA+LDA表没有减少分类类别数,实验中始终存在误识别。情特征提取方法,然后结合IMM模型建立7个对从实验数据斥中发现,悴中杲些人的种表情变化应基本表情+中性表情的模型,进行识别分类,并不明显,即使人眼也无法确定其表情类别,以并且取得了92.14%的整体识别率。同时,在实验致算法在识别时出现错误。中发现,由于人脸实验数据库中某些人的7种表情4结论变化并不明显,即使人眼也无法确定其表情类别,以致算法在识别时出现错误。本文针对目前人脸衣情的整体识别卒普遍不(下转第35页)21994-2015ChinaacAdemicJOurnalElcctronicPublishingHousc.Allrightsrcscrved.http://www.cnki.nct第6期林彩邴等:磁流变阻尼器减振系统的分数阶微分方程硏究35[2] DROZDOVAD Mechanicsofviscoelasticsolids[M]. New York: John Wiley &Sons Ltd, 1998: 21-65B3 LAKES RS. Viscoelastic solids[M]. London: CRC Press, 1998: 63-1104 Stanway R, Sproston, J L, Stevens N (i. Non-liner modeling of an electrorheological vibration damper.J. Electrostatics,1987,20[S]周强,瞿伟廉.磁流变阻尼器的两种力学模型和试验验证[.地震工程与工程振动,2002,22(40.[6] Gamoto DR, Filisko F E. Dynamic mechanical studies of electrorheological materials moderate frequencies. J. Rheology,991,35(3).[刀]汪建晓,孟光.磁流变阻尼器用于振动搾制的理论及实验研究J.振动与冲击,2001,20(2)[8 Wen Y K. Method of random vibration of hysteretic systems[J. Journal of Engineering Mechanics Division, ASCE102(EM2),19769SpencerJr. BF, Dyke SJ, Sain M K, Carlson, J.D. Phenomenological model of a magnetorheological damper. JEngrg. MechASCE.1997,123[10]薛定宇陈阳泉高等应用数学问题的 MATLAB解[M清华大学出版社,2010[l]l云,谭半.磁流变阻尼控制理论与技术[M科学出版社2007[1】]王振滨曹广义分数微积分的两种系统建模方汏系统仿真学报,2004,6(4:810-81上h与比比比比匙比比知5印(上接第20页)参考文献[1] ZHAO Quan-you, PAN Bao-chang, PAN Jian-jia, et al. Facial expression recognition based on fusion of Gabor and LBPfeaturesLA] In: Proceedings of the 2008 International Conference on Wavelet Analysis and Pattern Recognition[C), HongKong,IEEE,2008(8):362-367[2] Tang Fang-qi, Deng Ben-zai. Facial Expression Recognition using AAM and Local Facial Features [A]. In: Proceedings ofthe Third International Conference on Natural Computation[C], Haikou, China, IEEE, 2007(8): 632-635[3]陈培俊基于静态图像的人脸表情识别研咒[M成都:西南交通大学,2007[4] Lades M, Vorbruggen JC, Buhmann J. Distortion invariant object recognition in the dynamic linkarchitecture[J].IEEE Transactions on Computers, IEEE, 1993, 42(3): 300-311[5]彭辉张长水荣钢等基于KL变换的人脸自动识别方法清华大学学报(自然科学版),2007,37(6):6770[6]Duda RO, Hart PE, Stork DG Pattern Classification(second edition). New York: Wiley, 20017]李云霞,李治柱,吴亚栋基于HMM的关键词识别系统计算机工程,2004,30(7):130-132谨致作者敬请本刊作者允诺:稿件中没有侵犯他人著作权或其它杈利的内容并且文责自负:投寄给本刊的槁件(论文、图表、照片等)自发表之日起,其专有出版权和网络传播权即授于本刊,并许可本刊在本刊网站或本刊授权的网站上传播及屮国核心期刊(遴选)数据库、屮国学术期刊综合评价数据库、屮文科技期刊数据库、屮国台湾华艺数据库全文收录。对上述合作若有异议者,烦请来时向本刊申明,未作申明者,本刊将视为同意,谢谢合作。并致诚挚敬意。《机电技术》编辑韶21994-2015ChinaacAdemicJOurnalElcctronicPublishingHousc.Allrightsrcscrved.http://www.cnki.nct
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