人工神经网络原理及仿真实例书及 matlab源代码

【实例简介】电梯控制器程序设计与仿真，内含VHDL源代码，有详细注释，附仿真波形图

我室(南京悦能科技工作室)推出的低压有源滤波器（APF）和静止无功发生器（SVG）产品为三电平结构模块化设计，完全自主研发、性能优异、价格合理。 我是做技术的，我们的有源滤波器采用目前最先进的控制技术（自我独创），实现产品的高性能高稳定性，在多个工程中已有应用。我室刚开展业务，诚心寻找合作伙伴，合作方式多样，以深入的技术合作为主，也可代理销售本工作室授权公司生产的APF、 SVG成品。若贵公司有这方面的业务需求欢迎联系参观合作。:负载建模Three load棖据实际负载情况设置负载参数,下图分别为三相三线制和三相四线制仿真的负载连接C三相三线值负载为:三相整流负载。Three LoadI模块展开「mm「三相四线值负载为:单相整流负载。四:有源滤波器主回路建模如下图,各AP主回路模块接口图。注意图中有以下区别1,三柱三线制AFF的强电输入为A,B、C三根电源线:三四线制APF的强电输入为A、B、C、N四根电源线2,APF_2 level_3p3的调旨系数为3路,产生驱动脉冲6谘PWM信号APF2 level_3p4L的阗亐系数为4路,产生驱动脉冲8路PWM信号;APF3 level3p3L和APF3 level3p4L的凋节系数都为3路,产生驱动脉冲12路PWM信号;3,在AP回路,四种APF都需婁采集3路APF电流信号;但是APF2 leyel3p3L和APF2 elevel3p4L直流母线电压只有一路,只采集一路,APF3levl3p3L和APF3 dlevel_3puL直流母线电压有两路,采集两路yd- char geCnangevdc lpwmInVuuVdr m出gAl changhnresA onAFF2|乳Lapf leve 4LFF3Eve孔以下匹图,分别为APF2 level_3p3L、APP2leel3p4L、APF3 level3p3LAPF3lvel3p4L的拓扑结构」APF2eve3p3主拓扑逆APF2eve3p4L宇拓扑本本4本本本本本本本本TadTAPF3evel3p3主拓扑本本x本小本本本本小本CrrtiCYF本本山本本时本La 2 LeI」APF_3leve3p4L主拓扑APF2 level3p3主叫路建模如下图,APF2leve3p仅多一路线IGBT和进线电抗PMM領电流检测的直流突波容甲容滤波回路主电抗模拟杂数电感APF_2leve1_3p3L主回路建模AFF3evl建模如下图,APF3evel3p3和APF3 level3p4L网别在于装置N点是否连接电网N线。电流检测PW_an主电抗0.0013·1均压电阻宰牛C=9220uF和幸+∞苧滤波板GB逆变回路0直流电压检测APF3leve1主回路建模五:电压、电流检测回路建模电压、电流信号釆集电路实昒在数据釆集板或滮波板(50A模块)上,包括3路电源电压釆集SV、直流母线电压CV釆集(两电平1路,三电平2路)、3路AP电流AI采集3路负载电流II采集。1,电网电压SvV采样处理如下图,采用原副边电压比为300707380V系统的电压互感器。PT changESv changer07300res n2,直流母线电压〔V釆样处理如下图,额定电压375V(三电平,两路路)或750V(两电平,一路)的直流母线电压,通过R1电阻网络转化为75mA左右的电流信号,通过L25P(原副边电流比为15)转换,再通过主控板上的200欧接收电阻R转化为电压信号(此电玉信号为375V左右,若追求更精准可调节主控板上的运放电阻,使其进入AD转换芯片时变为7V左右的信号)。-E SenT1c2751150002三宅平直流母线采样两路vocc ant日=2HaT〓n11两电平直流母线采样-路3,APF电流AI釆样处理如下图,50A模块釆用原副边电流比为10001)的电流传感器IP-128:控制板上接收电阻为50欧。Rcang=ChangCXchange50re-311090(50A only)4,负载电流I釆样处理如下图, CTl change为负载现场安装的互感器图中为100045A的,CT2 change为滤波板模块釆用原副边电流比为10004)的电流传感器IP-128:滤波板上通过接收2000欧电阻转为电压信号CHange2000n2.I0arno六:主控板控制部分建模61概述妇下图,APF内部控制主要包括模块 APF RIFI(主要作月是得AFF给定电流信号、APF反缋电流信号、电网电压信号)、闭环控制模块ⅣI,两电平三相四线制还多一个N线调节系数产生模块APF RIF 2记rY ntLrGsAl ntAPF21eve1_3p3L和APF31eve1内部控制框图N通可LLI intad res川finAl inAPF_21evel_3p4L内部控制框图62:主控板控制部分模块 APF RIF作用模块 APF RIFI作用如下1,对所有集量进行量化处理;2,对采样到得AFF电流信号进行合适的数字滤波、限幅等处理,获得AF反馈电流信号 Al res;对采样到得电网电压信号进行合适的数字滤波、限塥等处理,获电网

这是一个用来解规划的遗传算法，由于普通的优化算法可能陷入局部最优解，而遗传算法可以弥补这个缺陷，这是用来解决无约束的，有约束的可以通过罚函数法来构造

一个嵌入式爱好者的自学体验,从零介绍ARM和LINUX的方方面面博客稳阁丛书程方网名阿南曰曰强个嵌入式爱好者的自学体验南编著与实践京航空统无荟出版社内容简介本书是以作者自学、应用嵌入式 Linux时的笔记(包括实验、出现的问题、调试过程、经验总结等)为基础,再增加应用到的硬件平台而成的。全书以亲自制作实验平台硬件,亲自设计实验软件为线索,指导读者从零开始学习到最终掌握ARM和 Linux应用的方方面面。全书可以分成ARM硬件、ARM前后台系统应用和基于Lnux系统的应用3个部分。ARM硬件部分包括整个硬件的原理分析、原理图、PCB板的绘制、元件焊接、硬件的检测与调试。ARM前后台系统应用部分包括启动代码、处理器内部外设、扩展外部设备及接口等的所有底层软件分析与实现,还有 Bootloader、文件系统、GUI等的原理与实现。 Linux系统的应用部分包括基于PC机的操作、应用编程和驱动、嵌入式 Linux的汗发环境创建、各种硬件的驱动实现、网络编程、图形用户界面设计等。本书可作为有志于掌握ARM、 Linux等嵌入式技术的高校学生、工程师等的参考书。图书在版编目(CIP)数据ARM Linux人门与实践/程昌南,方强编著.一北京:北京航空航天大学出版社,2008.10ISBN978-7-81124-422-9I.A…Ⅲ.①程…②方…Ⅲ.①微处理器,ARM系统设计② Linux操作系统一系统设计Ⅳ.TP332TP316.89肀国版本图书馆CIP数据核字(2008)第150813号c2009,北京航空航天大学出版社,版权所有。未经本书出版者书面许可,任何单位和个人不得以任何形式或手段复制本书及光盘内容。侵权必究。ARM Linux入门与实践一个嵌入式爱好者的自学体验程昌南[网名阿南]编著方强责任编辑董立娟北京航空航天大学出版社出版发行北京市海淀区学院路37号(100191)发行部电话:010-82317024传真:010-82328026http://www.buaapress,comcnE-mail:bhpress@263.net涿州市新华印刷有限公司印装各地书店经销开本:787mm×960mm1/16印张:31.5字数:706千字2008年10月第1版2008年10月第1次印刷印数:;5000册ISBN978-7-81124-422-9定价:49.50元(含光盘1张)本书的使用及学习方法ARM和 Linux学习方法的体会如何才能学好或尽快上手ARM和 Linux?这是很多初学者想问的,也曾经在网上讨论过。其实学习没有捷径,主要还是取决于学习态度和学习方法。ARM、 Linux也一样,在此阿南根据自学过程中的体会和网上的讨论作一些总结。ARM的学习。有了单片机或计算机结构的基本知识、C语言的基础,上手ARM是比较容易的。学习ARM,首先应该了解一下ARM的体系结构,了解它有哪些版本、哪些模式、哪些寄存器、异常等。这方面的内容可以参考《ARM体系结构与编程》一书,这本书介绍的内容还是很全的,可以先快速地浏览特别是汇编指令不需要记住,以后应用时再查。其次选定一种具体厂家型号的ARM处理器,学习该处理器相关的开发工具的使用,如开发环境、仿真器及评估板等。然后可以分析该处理器的外围扩展方法,如 SDRAM、 NAND Flash等,一般官方或第三方都会提供原理图,可以用来分析。接下来要理解该处理器的启动过程,亲自尝试从块裸板逐步运行自己的应用程序,也可以参考官方的启动代码及例程。最后就可以调试、测试该处理器的各种外围部件,例如定时器PWM串口、LCD等,特别是中断及执行过程。Liux的学习。尽管我们最终应用的是嵌入式 Linux,但还是要先在PC机下学习,因为无论基于PC机还是嵌入式处理器的 Linux开发、编程、调试等都是相近的,而PC机的性能、资源等都更加丰富,嵌入式 Linux的开发环境通常也都建立在PC机 Linux环境下,另外Linux大量的书籍也都是针对PC机写的。阿南觉得学习的顺序应该是先在PC机上安装Linux系统,再参考相应的入门书籍,主要是熟悉 Linux环境,学习常用的命令和操作(不一定多,基本、常用的就可以,以后在使用过程中慢慢积累),理解各 Linux下的目录结构与作用等。其次,学习在Liπux环境下编程。可以参考《GNU/ Linux编程指南》或《UNX环境高级编程》,它们介绍了文件描述符的概念,打开读写等操作的系列基础知识;没有这些基础而直接看《 Linux设备驱动程序》会觉得困难。再次,了解一下 Linux内核源代码树的目录结构、编译等。最后,学习《 Linux设备驱动程序》,理解驱动程序的结构框架等。根据实践需要也可学习网络编程和图形用户界面GUI编程,可以参考学习《UNIX网络编程》和《C++ GUI Qt3编程》。另外由于 Qt GUI是基于C++的,所以需要学习C++的知识,也可以选择其他如Microwindows、 MiniGUI等。有了PC机的 Linux基础及编程知识后,就可以直接应用于嵌入式前言了!此时需要一个硬件平台(如开发板或直接的产品等目标系统)和该平台的开发环境。一般的处理器原厂或第三方都会提供开发环境,所以不需要我们移植,它包括建立在PC宿主机上的编译等工具和嵌入式 Linux内核(包括硬件驱动等BSP)源码。此时只须学习开发环境的建立和使用以及将PC机所学的知识应用于具体的嵌入式平台。如果涉及硬件及驱动那么应三该有一定的硬件调试和解决问题的能力,此时单片机、ARM基础及外围设备接口的调试能力将起到很重要的作用。很多朋友(包括非电子、自动化专业的朋友)都希望将来从事 Linux驱入门与实践入动方面的工作,认为学习了Limx驱动方面的知识就OK了而往往忽略硬件本身的调试解决问题能力,阿南觉得这是不正确的。因为 Linux驱动与前后台控制硬件外设的区别只在于它与应用程序的接口,它要遵循一定的结构和规则,这种规则涉及的也就是通常讲的 Linux驱动知识和技术,它是固定的,是容易掌握的,只要遵循就不会出问题。而硬件及外设是千变万化的,它所涉及的技术是多方面的,除处理器本身外,还有各种接口及协议、数字、模拟技术等。这些在设计、调试时是很容易出现问题的,此时要求我们有一定的调试、测试手段和方法。所以,阿南认为要想成为一名优秀的 ARM Linux驱动工程师,首先必须是一名优秀的、具有丰富调试经验的单片机或ARM处理器应用工程师本书的使用与相关知识的同步学习曾经有一个朋友这样告诉阿南:“如果看您的笔记就能掌握 ARM Linux驱动,那就是最好的目的了”。对不起,阿南做不到,写不出这种“葵花宝典”。这本书的前身是在21CBBS上发表的《嵌入式 Linux人门笔记》,主要是阿南在自学 Linux和在项目中应用 Linux时记录的笔记、出现的错误和心得等,是自己平时工作中非常重要的参考手册。发表后得到众网友的喜爱、支持及北航出版社胡晓柏主任的鼓励,故花更多的时间、精力将笔记丰富出版。嵌人式是一门实践性很强的技术,而《嵌入式 Linux入门笔记》主要记录的是 Linux等相关的软件部分,没有包括硬件相关的部分,为了让读者能够亲自实践,故增加了ARM及硬件部分。并且亲自设计了AN2410SSB(最小系统板)和AN2410MB(扩展底板),给出了所有原理图,介绍了制作过程,记录了用裸板开始调试的步骤和过程,介绍了如何让ARM运行及启动等各方面的内容,以及前后台(无操作系统下)的应用等。本书没有将所涉及的技术及理论都包括进来,不仅篇幅有限,而且也没有必要,因为已有太多相当经典的资料。本书第1章为概述。第2章分析了硬件的原理图,读者应该阅读S3C2410A的数据手册,特别是信号引脚功能描述,内存控制部分。第3章主要介绍了关于 Protel原理图和PCB板的绘制,如果读者没有 Prote的基础可以参考人民邮电出版社的《电路设计与制版— Protel99入门与提高》或其他 Protel书。如果有 Protel基础,只是没有绘制过多层板,那么可以参考人民邮电出版社的《 Protel99E多层电路板设计与制作》。第4章介绍了S3C2410A系统核心部分的调试方法和工具的使用,以及利用工具进行测试的方法、手段。该部分是整个系统的基础,也是非常重要的,读者需要多试验,出现问题时多参考S3C2410A的数据手册。第5章专门分析了S3C2410A的启动代码,用于理解S3C2410A的启动过程,中断处理过程及存储器等前言相关部分,也是非常基础和重要的。因为启动代码由汇编组成,此时可参考清华大学出版社的《ARM体系结构与编程》,学习理解ARM的汇编语言等相关知识。第67章为硬件平台上实现ARM的外围实验和扩展实验读者仍然要参考S3C240A的数据手册,在仿真调试情况下理解ARM内部的寄存器、存储器、状态寄存器等与ARM体系相关的知识。另外还要阅读如WAv音频格式,SD卡规范及相关的数据手册等。CPLD部分读者可以参考电子工业出版社的《基于 Quartus II的FPGA/CPLD设计》,学习基本的工程创建,图形设计输入,编译和编程等。 Altera cpld更详细的资料可以去官网下载。第8章介绍了前后台系统还需要考虑的相关知识: NAND Bootloader、文件系统和图形界面。图形界面部分,读者需要理解一些基本的绘图原理和算法,可以参考机械工业出版社的《计算机图形学的算法基础》。第9章介绍了在PC机下的 Linux各方面技术,这些都是嵌入式 Linux的基础,非常重要,涉及的知识内容也很多。在该章中,阿南只是总结了一些实践操作的部分内容所以还需要读者自己去参考学习Linux的这些书籍: Linux系统的基本操作参考清毕大学出版社的《 Red hat linuⅹ9系统管入门与实践理》(这本书应该被实践安装的桌面 Linux系统相应版本的书替代),应用编程参考清华大学出版社的《GNU/Linuⅹ编程指南》或机械工业出版社的《Uniⅸx高级环境编程》,驱动编程参考中国电力出版社的《 Linux设备驱动程序》。第10章主要介绍S3C2410A的嵌入式 Linux开发环境的搭建及工具的使用。这里采用的是MIZI公司的 Linux for s3C2410平台,读者也可以直接参考《 MIZI Linux sdk for s3C2410》文档。第11章介绍在S3C2410A下实现 Linux驱动,很多原理性的知识依然要参考《 Linux设备驱动程序》一书,而且要多试验验证。读者在调试实现过程中也可以直接参考 Linux for s3C2410的内核源码中和硬件、驱动相关的代码例子(可以在 Windows系统下安装 Source insight软件,方便阅读 Linux内核源代码)。第12章介绍嵌人式 Linux桌面系统,可读写文件系统 YAFFS的实现,嵌入式Web服务器BOA、NFS及WIFI。这些都是实践性很强的应用操作,所以读者主要是应用它们,出现问题时上网查找相关应用操作,寻找解决问题的思路,再测试验证。第13章是网络编程方面的知识,主要参考清华大学出版社的《UNIX网络编程第1卷:套接口API》,目的是掌握TCP客服机/服务器的实现及网络的调试方法。第14章介绍嵌人式GUI开发环境的创建和开发方法,桌面系统的移植。学习前读者应该先学习基于Qt的应用编程,可以参考北航出版社的《C++GU1Qt3编程》,如果没有C++的基础可以参考清华大学出版社的《C++程序设计教程》。致谢感谢我的导师(也是本书的另一位作者)—方强多年来的关心与指导,且对本书付出的辛苦劳动。感谢我的公司——广州市天誉创高科技有限公司及同事们,他们对本书提供了很大帮助。段克为本书绘制了部分电路图,丁亚锋为本书编写并调试了部分程序。另外,还要感谢曾水生、李玉琪、刘卫国、张端峰、龙靖、彭雄飞、王勇、黄焕立、王菊林、黄斌、何运辉、吴建、方斌、黄伟、傅良英、胡孝发、黄志艳、张凯、欧孔德、梁家乐、宁雪玉、蔡青青及蓝萍等人的帮助。前言感谢深圳英蓓特公司提供 Realview mDK开发工具及相关资料和技术支持。感谢EDN网为本书创立书友会(hp:// group. ednchina, com/999/)和开展本书的AN2410SSB学习板助学等活动。感谢北京航空航天大学出版社嵌入式系统事业部主任胡晓柏的信任与鼓励,感谢21CBBS上网友们的支持、建议和帮助。感谢我的父母、老师、姐姐、姐夫及所有亲戚朋友们,你们的关心与爱都是阿南不断前进的动力。入门与实践阿南的技术水平、经验都还很欠缺,书中的错误和不妥之处在所难免,恳请广大读者朋友们批评指正;也欢迎登陆21CBBS的ARM论坛或《 ARM Linux人门与实践》书友会与阿南交流,共同提高。阿南2008年9月自序嵌入式自学经历和体会目的回想从2000年自学单片机开始,到后来的ARM,再到 Linux,自己经历了很多,也体会了很多,有经验也有教训,所以希望通过此次机会与读者相互交流,也让更多的爱好者在自学过程中有所借鉴。如果能得到您的共鸣,可以发送电子邮件给阿南:c422@hotmail.com。初识单片机和电子竟赛大一的暑假没有回家,留在学校里希望能向师兄学点技术,后来他向我推荐了单片机和全国大学生电子竞赛。和普通学生一样,阿南认为能参加电子竞赛是多么自豪呀!且对单片机很是好奇,于是去图书管借了些基础书来阅读,很快就被它的强大功能吸引,也产生了迅速学好、将来参加电子竞赛的念头买仿真器,下定决心学好单片机当时学校还没有开模拟、数字电子等专业基础课程,所以学习单片机还是很困难的,一般阿南都拿两三本单片机基础书一起对照着看,旁边还放着模拟、数字等基础教程以便查阅。暑假很快就过去了,期间虽然专心学习,但进展很慢,后得到师兄的指点:要想学好单片机,必须要有个仿真器实践大概1500元。这么贵?(这对农村孩子来讲,实在太贵了!另外买了之后,还不一定就能学会呢!)经过一个星期的思想斗争,终于下定决心要买。当时的想法是这样:“从小家里就穷,家人为了阿南付出了很多心血,所以阿南必须学好技术,好将来回报他们;要参加电子竞赛且取得好成绩,在技术上必须要超越同学、师兄及其他院校的同齡人,而论聪明、基础不可能占优,唯有比他们更早开始,更加勤奋和善于思考;是的,很心疼父母的这些辛苦钱,也正是这个原因更促使阿南尽最大努力,更加勤奋地学习”。培养兴趣,它是最好的老师买了仿真器后,阿南比以前任何时候都更加勤奋了:图书馆、书店找书学习,独自骑两小时自行车买器件,万能板上焊接电路,学习自己编程,用仿真器仿真,万用表测量各种信号变化等。对于单片机,阿南到了近乎疯狂的地步,调试遇到困难时的痛苦、解决问题后的畅快和兴奋,都让阿南对它产生了很深的感情,也已不再是在当初的巨大压力和包袱下学习了,而是在种很浓厚的兴趣下享受着它带来的喜怒哀乐。自序冲破难关,学会独立时间过的真快,自学单片机已经一年了,在这期间阿南对51系列单片机的原理已经理解得差不多了,也实验、测试了所有的片内外设,但只有并行通信测试还一直没有成功过,就是ADCo809的A/D转换实验。这个实验已经断断续续调了近两个月,分析了书上所有的相关内容,对原理也已经很清楚了,但仿真器就是采集不到正确的数据。当时遇到困难时没有像现在这样方便的网络,也没有示波器,只能分析书本和凭自己的想象和试验,另外总是期盼着师入门与实践兄能帮助解决。后来静下心来想了各种解决测试的方法和线索,一个个排除,最终在仿真器说明书中发现“POD52仿真头的P0、P2口只能用作IO用,POD51可以作为总线用”。由于直使用POD52的仿真头,所以读/写等信号都没有出来,换成POD51果然就成功了。(当时真的很兴奋!)之后,单片机学习就变得非常顺利,一般的系统都能独自完成,也终于可以自豪地宣告:阿南的单片机人门啦。在这一过程中阿南体会到了独自思考、解决问题的重要性,也明白了开发工具在实践过程中所起到的作用。(其实很多问题是要用示波器测试和请求工具厂商技术支持的。)上帝是公平的,机会留给有准备的人人门单片机后,不仅自己做些小课题,也用它完成课程设计、参加校里组织的竞赛等。虽然没有参加院里的工程师摇篮协会,但自己的勤奋、动手能力及对单片机的执着还是得到了老师的肯定。初识贾老师(负责组织参加全国大学生电子竞赛相关事务的老师)时,他给了一道1999年的竞赛题——工频真有效值表。该题有很多的运算,考虑到汇编语言实现的难度,所以阿南学习用C语言为单片机编程。由于大一时开过C语言的基础课,再加上良好的汇编语言基础能力,这个课题很顺利地完成了。之后,贾老师将阿南推荐给方老师,目的很明确:学好单片机,备战2003年SONY杯全国大学生电子设计竞赛。有了方老师的指导,再加上实验室的各种硬件,阿南开始了一个新的阶段:不仅学习单片机和C语言编程,还要学习单片机以外的相关技术,如 Protel绘制原理图、PCB制板;学习各种总线和协议,学习电动机控制等;还要学习PLC、MCGS组态软件以及VB。这2年半的时间里,阿南早已不仅仅是为了竞赛更多的是在体会和享受着整个学习过程。回想自己5年的大学学习生活,感觉真的很幸运,最初的王师兄,后来的贾老师和方老师、女朋友及所有帮助过阿南的朋友,在此对他们表示衷心的感谢,感谢他们总是在适当的时候出现指导和帮助阿南,让阿南为之感动,为之奋斗。同时,也深深体会一个道理:机会总是留给足够真诚,足够勤奋、执着,有所准备的人;连自己都不能感动,何以感动别人?感动上帝?坎坷的一年,技术上的追求而不断放弃工作当同学们纷纷进入大中专院校,从事让多少人羡慕的稳定的教师职业时,阿南却选择了南下打工,希望在技术上有更高的造诣。当时ARM在国内已经流行,阿南和广大爱好者一样,和当年初识单片机一样,也被它深深地吸引。辗转了几家公司后,终于可以从事单片机的应用开发。半年后,阿南作出了一个让

STK中文用户手册，这个手册提供了Satellite Tool Kit（STK）的基本用法和功能描述，STK是AGI共司开发的一套工具软件，对新学者或熟练的卫星系统分析者都是适用的。文件列表: manual-01.doc manual-02.doc manual-03.doc manual-04.doc manual-05.doc manual-06.doc manual-07.doc manual-08.doc manual-09.doc manual-10.doc manual-11.doc manual-12.doc manual-1

微电子电路设计第五版,Richard C. Jaeger, Traveis N. Blalock编著。FIETH EDITIONMICROELECTRONICHM-M- CIRCUIT DESIGNRICHARD C. JAEGERAuburn UniversityTRAVIS N. BLALOCKUniversity of VirginiaMcGrawEducationGrawEducationMICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN. FIFTH EDITIOPublished by McGraw-Hill Education, 2 Penn Plaza, New York, NY 10121 CopyrightC 2016 by McGraw-Hill EducationAll rights reserved. Printed in the United States of America. Previous editions 2011, 2008, and 2004. 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TitleTK7874.J3332015621.3815-dc232014040020The Internet addresses listed in the text were accurate at the time of publication. The inclusion of a website does not indicatean endorsement by the authors or McGraw-Hill Education, and McGraw-Hill Education does not guarantee the accuracy ofthe information presented at these siteswww.mhhe.comTOTo Joan, my loving wife and life long partnerRichard C. JaegerIn memory of my father, Professor Theron vaughnBlalock, an inspiration to me and to the countlessstudents whom he mentored both in electronicdesign and in life.Travis n blalockBRIEF CONTENTSPreface xxChapter-by-Chapter Summary XXV12 Operational Amplifier Applications 685PART ONE13 Small-Signal Modeling and LinearSOLID-STATE ELECTRONICS AND DEVICESAmplification 77014 Single-Transistor Amplifiers 8411 Introduction to Electronics 32 Solid-State Electronics 4115 Differential Amplifiers and Operational Amplifier3 Solid-state Diodes and Diode circuits 72Design 9524 Field-Effect Transistors 14416 Analog Integrated Circuit Design Techniques 10315 Bipolar Junction Transistors 21517 Amplifier Frequency Response 111318 Transistor Feedback Amplifiers andPART TWOOscillators 1217DIGITAL ELECTRONICSAPPENDICES6 Introduction to Digital Electronics 2837 Complementary MOS (CMOS) Logic Design 359A Standard Discrete Component Values 12918 MOS Memory Circuits 414B Solid-State Device Models and sPIce simulationParameters 12949 Bipolar Logic Circuits 455C TWo-Port Review 1299PART THREIndex 1303ANALOG ELECTRONICS10 Analog Systems and Ideal OperationalAmplifiers 51711 Nonideal Operational Amplifiers and FeedbackAmplifier Stability 587CONTENTSPreface xxCHAPTER 2Chapter-by-Chapter Summary XXVSOLID-STATE ELECTRONICS 41PART ONE2.1 Solid-State Electronic materials 432.2 Covalent bond model 44SOLID-STATE ELECTRONICS2.3 Drift Currents and mobility inAND DEVICES 1Semiconductors 472.3.1 Drift Currents 47CHAPTER 12.3.2 Mobility 48INTRODUCTION TO ELECTRONICS 32.3.3 Velocity Saturation 482.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 491.1 A Brief History of Electronics: From2.5 Impurities in Semiconductors 50Vacuum Tubes to Giga-Scale Integration 52.5.1 Donor Impurities in silicon 511.2 Classification of Electronic Signals 82.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 511.2.1 Digital signals 92.6 Electron and hole concentrations in1.2.2 Analog Signals 9Doped semiconductors 511.2.3 A/D and D/A Converters--Bridging2.6.1Type Material (ND >NA)52the analog and Digital2.6.2 p-Type Material (N,A>ND)53Domains 102.7 Mobility and Resistivity in Doped1.3 Notational conventions 12Semiconductors 541.4 Problem-Solving Approach 132.8 Diffusion currents 581.5 Important Concepts from Circuit2. 9 Total Current 59Theory 152.10 Energy Band Model 601.5.1 Voltage and current Division 152.10.1 Electron-Hole pair generation in1.5.2 Thevenin and norton circuitan intrinsic semiconductor 60Representations 162.10.2 Energy Band Model for a Doped1.6 Frequency Spectrum of ElectronicSemiconductor 61Signals 212.10.3 Compensated semiconductors 611.7 Amplifiers 222.11 Overview of Integrated circuit1.7.1 Ideal operational amplifiers 23Fabrication 631.7.2 Amplifier Frequency Response 25Summary 661.8 Element Variations in Circuit Design 26Key Terms 671.8.1 Mathematical modeling ofReference 68Tolerances 26Additional Reading 681.8.2 Worst-Case Analysis 27Problems 688.3 Monte Carlo analysis 291.8.4 Temperature Coefficients 32CHAPTER 31.9 Numeric Precision 34SOLID-STATE DIODES AND DIODE CIRCUITS 72Summary 34Key Terms 353.1 The pn Junction Diode 73References 363.1.1 pn Junction Electrostatics 73Additional Reading 363.1.2 nternal diode currents 77Problems 363.2 The i-v Characteristics of the diode 78VIllContents3.3 The Diode Equation: A Mathematica3.15 Full-Wave Bridge Rectification 123Model for the diode 803.16 Rectifier Comparison and Design3.4 Diode Characteristics under reverse, ZeroTradeoffs 124and forward bias 833.17 Dynamic Switching Behavior of the Diode 1283.4.1 Reverse bias 833.18 Photo diodes, solar cells, and3. 4.2 Zero bias 83Light-Emitting Diodes 1293.4.3 Forward Bias 843.18.1 Photo diodes and3.5 Diode Temperature Coefficient 86Photodetectors 1293.6 Diodes under reverse bias 863.18.2 Power Generation from Solar Cells 1303.6.1 Saturation Current in real3.18. 3 Light-Emitting Diodes(LEDs)13Diodes 87Summary 1323.6.2 Reverse Breakdown 89Key Terms 1333.6.3 Diode model for the breakdownReference 134Region 90Additional Reading 1343.7 pn Junction Capacitance 90Problems 1343.7.1 Reverse bias 903.7.2 Forward Bias 91CHAPTER 43.8 Schottky Barrier Diode 933.9 Diode SPICE Model and layout 93FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1443.9.1 Diode Layout 944.1 Characteristics of the MOS Capacitor 1453.10 Diode Circuit Analysis 954.1.1 Accumulation Region 1463.10.1 Load-Line Analysis 964.1.2 Depletion Region 1473.10.2 Analysis Using the Mathematical4.1.3 Inversion Region 147Model for the diode 974.2 The nmos transistor 1473.10.3 The Ideal diode model 1014.2.1 Qualitative i-v Behavior of the3.10.4 Constant Voltage Drop Model 103NMOS Transistor 1483.10.5 Model Comparison and4.2.2 Triode Region Characteristics ofDiscussion 104the nmos transistor 1493.11 Multiple-Diode Circuits 1054.2.3 On Resistance 1523.12 Analysis of Diodes Operating in the4.2.4 Transconductance 153Breakdown Region 1084.2.5 Saturation of the i-v3.12.1 Load-Line Analysis 108Characteristics 1543.12.2 Analysis with the Piecewise4.2.6 Mathematical model in theLinear model 108Saturation (Pinch-off)3.12.3 Voltage regulation 109Region 1553.12.4 Analysis Including Zener4.2.7 Transconductance in saturation 156Resistance 1104.2.8 Channel-Length Modulation 1563.12.5 Line and Load Regulation 1114.2.9 Transfer characteristics and3.13 Half-Wave Rectifier Circuits 112Depletion-Mode MosFETs 1573.13.1 Half-Wave Rectifier with resistor4.2.10 Body Effect or SubstrateLoad 112Sensitivity 1593.13.2 Rectifier Filter Capacitor 1134.3 PMOS Transistors 1603.13.3 Half-Wave Rectifier with rc load 1144.4 MOSFET Circuit Symbols 1623. 13.4 Ripple Voltage and Conduction4.5 Capacitances in MOS Transistors 165Interval 1154.5.1 NMOs Transistor Capacitances in3.13.5 Diode Current 117the Triode region 1653.13.6 Surge Current 1194.5.2 Capacitances in the Saturation3.13.7 Peak-Inverse-Voltage(PlV)Rating 119Region 1663.13.8 Diode Power Dissipation 1194.5.3 Capacitances in Cutoff 1663.13.9 Half-Wave Rectifier with Negative4.6 MOSFET Modeling in SPICE 167Output Voltage 1204.7 MOS Transistor Scaling 1683.14 Full-Wave Rectifier Circuits 1224.7.1 Drain Current 1693. 14.1 Full-Wave Rectifier with Negative4.7.2 Gate Capacitance 169Output Voltage 1234.7.3 Circuit and power densities 169ContentsIX4.7.4 Power-Delay Product 1705.3 The pnp Transistor 2234.7.5 Cutoff Frequency 1705.4 Equivalent Circuit Representations for the4.7.6 High Field Limitations 171Transport Models 2254.7.7 The unified mos transistor model5.5 The i-v Characteristics of the bipolarIncluding High Field Limitations 172Transistor 2264.7.8 Subthreshold conduction 1735.5.1 Output Characteristics 2264.8 MOs Transistor Fabrication and layout5.5.2 Transfer characteristics 227Design Rules 1745.6 The Operating Regions of the Bipolar4.8.1 Minimum Feature size andTransistor 227Alignment Tolerance 1745.7 Transport Model Simplifications 2284.8.2 Mos Transistor Layout 1745.7.1 Simplified Model for the Cutoff4.9 Biasing the NMOS Field-EffectRegion 229Transistor 1785.7.2 Model Simplifications for the4.9.1 Why Do We Need Bias? 178Forward-Active Region 2314.9.2 Four-Resistor Biasing 1805.7.3 Diodes in Bipolar Integrated4.9.3 Constant Gate-Source VoltageCircuits 237Bias 1845.7.4 Simplified Model for the4.9.4 Graphical analysis for theReverse-Active Region 238Q-Point 1845.7.5 Modeling Operation in the4.9.5 Analysis Including Body Effect 184Saturation Region 2404.9.6 Analysis Using the Unified5.8 Nonideal Behavior of the bipolarModel 187Transistor 2434.10 Biasing the PMos Field-Effect Transistor 1885.8.1 Junction Breakdown Voltages 2444.11 The junction Field-Effect Transistor5.8.2 Minority-Carrier Transport in theUFET190Base Region 2444.11.1 The JFET With Bias Applied 195.8.3 Base Transit time 2454.11.2 JFET Channel with Drain-Source5.8.4 Diffusion Capacitance 247Bias 1935.8.5 Frequency Dependence of the4.11.3 n-Channel jfet i-v Characteristics 193Common-Emitter current gain 2484.11.4 The p-Channel JFET 1955.8.6 The Early Effect and Early4.11.5 Circuit Symbols and JFET ModelVoltage 248Summary 1955.8.7 Modeling the Early Effect 2494.11.6 JFET Capacitances 1965.8.8 Origin of the Early Effect 2494.12 JFET Modeling in Spice 1965.9 Transconductance 2504.13 Biasing the JFET and Depletion-Mode5.10 Bipolar Technology and sPiCe Model 251MOSFET 1975.10.1 Qualitative Description 251Summary 2005.10.2 SPICE Model Equations 252Key Terms 2025.10.3 High-Performance BipolarReferences 202Transistors 253Problems 2035.11 Practical bias circuits for the bjt 2545.11.1 Four-Resistor bias network 256CHAPTER 55.11.2 Design Objectives for theBIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 215Four-Resistor bias network 2585.11.3 terative Analysis of the5.1 Physical Structure of the BipolarFour-Resistor bias circuit 262Transistor 2165.12 Tolerances in bias circuits 2625.2 The Transport Model for the npn5. 12.1 Worst-Case Analysis 263Transistor 2175. 12.2 Monte Carlo Analysis 2655.2.1 Forward Characteristics 218Summary 2685.2.2 Reverse Characteristics 220Key Terms 2705.2.3 The Complete Transport ModelReferences 270Equations for Arbitrary BiasProblems 271Conditions 221

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