k60中文数据手册
呕心沥血找到的,k60的很全的数据手册了,20兆~K6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011第一章关于本文档1.1概述1.1.1目的夲文档描述了飞思卡尔K60系列微控制器的特征、结构和编稈方法1.1.2读者本文档上要是面向即将或者是已经使用K60开发系统的系统设计工程师和软什应用开发者。1.2习惯性约定1.2.1编号制度下的下标标志着不冋的编号系统下标标识b二进制的数字:例如十进制5用二进制表示为101b。某些情况下二走制数字也是用前缀0b来表小进制数字:一般在容易混淆的地方才会便用这个下标。一般情况下,十进制数字不使用下标h六进制数字:例如|进制60用|六进制3Ch来表示。茉些情况下,十六进制也使用前缀0X来表示。1.2.2标识符号本文件使用一下标识符号举例说明placeholder. x斜体的项H是为您提供的占位符的信息。斜体文字也用于出版物的标题和强调。纯小写字母也被用来作为单一的字母和数字的占位符。coae固定宽度的类型表示必须严格按照显示的文本进行输入。它用于指令助记符,指令,标示符,子命令,参数,和运算符。固定宽度的类型乜可用于示例代码。指令助记符和命令在文本和表格中仝部使用大与,例如:BSR。SRISCM]括号中的助记待表示寄存器某个字段的命名,例如SR寄存器的SCM位(段)。REVNOL6: 4, XAD[7: 0]括号内使用冒号隔开的数字表示●寄仔器某个命名字段:例如 REVNO6:4」表示REVNO寄存器的06位。●单个总线的信号范围:例如XAD7:0表示XAD总线的0-7号位。EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 20111.2.3特殊说明卜列的词汇具有特妹的含义:术含义assert某个信号的状态如下所示置高时会被激活置低时会被激活deasserted某个信号的状态如下所示置高时会被禁止置低时会被禁止reserved个内存的空间,寄存器,或者区域是留作将来使用的,写入时会产生不可预料的结果EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011作者黑li源文件名称:K60P44M0SF2 RM. pdf源文件版本:K60 Sub-Family reference manual,Rev.6,Nov201目标文件版本:0.1最后编辑日期:2012.04.21.17.37修改说明:初稿,夲人水平有限,红色部分是在是没能直接翻译出来。汗,别笑我哈EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011第二章引言2.1概述夲章概述了 Kinetis系列以及其中的K60系列,还对设备所涵盖的模块进行了概括描述。2.2K60系列引言K60微控制器系列具有以下性能:IEEE1588以太网,全速和高速USB2.00n-The-Go带改备充电探测,硬件加密和防窜改探测能力。肀富的模拟、通信、定时和控制外改从100LQFP封装256KB闪存开始可扩展到256 MAPBGA1MB闪存。大闪存的K60系列器件还可提供可选的单精度浮点单元、NAND內存控制器和DRAM控制器2.3功能模块分类器件按照功能分为不同的模块,下面的章节对每个功能模块有着史详细的描述。表格2-1功能模块分类模块描述ARM Rotex-M4内核32位 ARM Crotex-M内核,只有DSP指令和单精度浮点运算单元,1.25DMIPS / MHZ,基于ARMv7结构,在某些系列中还包括16KB的数据/指令高速缓冲。系统模块系统集成控制模块电源管理和模式控制多种电源模式可供选择:运行、等待、停止和掉电模式低漏电流唤陧单元杂项控制单元交义开关内存保护单元内部总线直接内存访问(DM)控制器与复用器,增加可用的DMA请求外部看门狗存储内部存储器包括程序存储器FlexNvMFlexRAM可编程 FLASH编程加速内存SRAM外部存储和设备控制总线接口: FlexBus串行可编程接口: EzPortNAND flash控制器时钟可选的多个时钟源:包括内部时钟和外部时钟为系统提供系统时钟的振蕩器EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011为实时时钟提供时钟源的振荡器加CRC模块硬件加窣和随机数发牛器模拟集成可编程放大增益的高速AD转换器模拟比较器DA转换器内部参老电压定时器可编程延时模块柔性定时器周期性中断定时器低功耗定时器载波调制定时器实时时钟通信以太网MAC控制器支持IEEE1588协议USB0TG内嵌全速/低速PHYUSB支持设备充电检测功能USB自带电压调节功能髙速USB控制器UPI接凵CANSPI12CUARTSD主机控制器人机界面GPIO硬件电容触摸屏接口2.3.1 Rotex-M4內核模块器件内包含以下核心模块表格2-2核心模块模块描述ARM Cortex M4ARM Cortex内核是最新的 Cortex系列处理器主要针对成本敏感、目标确定性、中断驱动的应用而推出的Cortex M内核是基于ARMv7构架,: Thumb-21SA了集兼容 Cortex w3、 Cortex m1和 Cortex mo核心Cortex M4改进包括增加了ARMv7 Thumb2DSP(与ARMv7A/R构架相兼容的),32位SIMD指令(单指令多数据饱和运算指令中断控制器(NVIC)ARM7-M构架的异常和中断处理器(NVIC)使用可重新定位的中断向量表,支持多个可配置优先级的外部中断和个不可屏版中断EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011重映射寄存器简化了编程难度,中断控制单元包含着中断函数的地址,相应的中断程序地址通过指令总线在中断向量表中杏找获得。前十六个入口分配给内核的内部中断,剩下的由外围器件使用。异步唤醒中断控制器(AWIC)在停止模式下,异步唤酲中断控制器檢测异步唤醒事件,并向时钟控制单元发送信号来唤醒系统时钟。当系统时钟启动后,中断控制器开始检测中断,进行常规中断和事件的处理。调试接冂绝大部分器件的调试部分都是基于AM的 CoreSight构架,此构架提供了四个调试接口°IEEE1149.1JTAGIEEE 1149. 7 JTAG (CJTAGrial Wire debug (SWD)ARM Real-time Trace nterface2.3.2系统模块器件内包含以卜系统模块表2-2系统模块模块描述系统集成控制模块(S)系统集成控制模块实现部分模块的·些基本的配置功能系统控制模块(SMC)系统控制模控制和保护系统在各个电源模式的切换,控制电源管毘模块(Pλ),在电源切换时复位整个系统。电源管珥模块(PMO)电源箮理单元提供多种电源模式。不同的电源模式可以为使用者提供最佳的功耗模式。包括上电复位,可编程阀值的掉电检测。低漏唤醒单元L)低漏唤醒单元支持多种内部/外部唤醒模式杂项控制模块(MCM设置嵌入式跟踪调试单元交叉开关(XBS)交叉开关连接着主机总线和外围器件总线,他能实现总线上所有的主机访问任意的从机,在不同的主机访问相同的从机时提供优先级仲裁内存保护单元(MPU提供内存保护和任务隔离功能,并监视总线上主机和从机的通信外围设备总线根据交义开关的配置,位大部分外国器件的存取提供接口。DMA复用器( DMAMUXDMA复用器在众多的DMA请求中,挑选出16个传递给DMA控制器内存直接读取控制器(DMA)外部看门狗监视器EWM软件看门狗(WDOG)EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 20112.3.3存储和存储接囗器件包含以下的存储器和存储接口表格2-4存储和存储接口模块描述闪存( Flash memory)程序存储区,可执行代码的非易失存储器FlexMemory:包含以下类聖的存储器LexNvm:非易失存储器,可是存放可执行代码,数据或者是模拟 EEPROMFlexray:随机读取寄存器,可以用作传统的RAM,也可用作扃耐写的 EEPROM或者是加速闪存编程编程闪存:编程加速RAM,用于加速 Flash编程。闪存控制器管片上和外围的存储模块的接∏(Flash memory controller)随机动态存储器(SRAM)内部的RAM,一部分RAM在低漏模式下仍能保持供电。随机动态存储器控制器管珥核心和外设存取系统RAM。(SRAM controller)系统寄存器块32位的寄存器,在VDD供电的听有电源模式下都可以访问BAT寄存器块32位的寄存器,在VBAT供电的所有电源模式下都可以访可编程串行接口( EzPort)和业界标准的SPI闪存使用相同的的串行接口,命令集为其子集。能够读、擦除和编程闪存闪存编程后用复位命令重启系统FlexBus六个独立的、可由用户设置的片选信号,可以与外部SRAM、PROM、 EPROM、 EEPROM、闪存和其他外设无缝接∏8位、16位和32位数据总线宽度,提供复用或非复用的地址和数据总线的配置2.3.4时钟器件包含以下的时钟模块表2-5时钟模块模块描述多时钟发生器(MG)提供多个时钟源包括锁相环-压控振荡器锁频环-数控振荡器内部参考时钟可以为其他片上外设提供时钟系统时钟振荡器系统振荡器,在与外部晶体或谐振器的结合EditbyiliE:soonli@qq.comK6OP144M100SF2RM. pdfK60 Sub-Family Reference Manual, Rev. 6, Nov 2011为MCU产一个参考时钟实时时钟振荡器独立电源供电的实时时钟振荡器提供一个32KHZ时钟信号,当然他也可以用作主振荡器为系统提供时钟信号。2.3.5安全和完整性模块器件包含以下的安全和完整新模块表26安全和完整性模块模块描述加密加速单元(CAU)支持DES、3DFS、AES、MD5、SHA-1和SHA-256算法简单的C调用飞思卡尔优化后的加密函数随机数4成器(RNG)支持数字签名标准中定义的密钥牛成算法(参考http://www.itl.nistgov/fipspubs/fip186.htm)集成的熵源能够为RNGB提供熵,以获取种子冗余循环校验(CRC)采用16位或32位移位寄存器的CRC发生器电路16/32位CRC用户可配置可编程的生成器多项式·误码检测功能可以检测所有单、刈、奇误码及大多数多位误码可编程的初始种子值高速CRC计算通过转置寄存器转置输入数据和CRC结果,此为可选特性,用于某些字节是⊥sb格式的应用2.3.6模拟外设器件包含以下的模拟模块表2-7模拟模块模块描述16位具有可编程增益功能的ADC16位的逐次逼近型ADC,具有可编程增益功模拟比较器全电压蒞闱内比较两个模拟输入信号6位的DAC64抽头的梯形电阻网络,向需要电压基准的应用提供基准12位的DAC低电压通用型DAC,可以输出到外部引脚,也作为一个模拟比较或者是ADC的输入。电压参考(VRF可配置的修止寄存器,以0.5m为单位递增,在复位后自动加载室内温度值。可以用于医疗,比如说血糖仪。为模拟外设或者是电压传感器提供参考电压。如ADC. DAC, CMP.EditbyiliE:soonli@qq.com
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NTC热敏电阻温度采集方案
NTC温度采集方案,有详细的算法,包括一些程序,硬件设计等SUNPLUS用热敏电阻做朵用温度月录页系统概要系统说明热敏电阻器1.2.1电阻一温度关系1.3数值处理线性插值软件说明软件说明2档案构成2.3程序说明程序范例DEMO程序使件原理佟使用资源硬件使用资源说明参考文献SUNPLUS用热敏电阻做朵用温度修订记录版本日期编写及修订者编写及惨订说明初版错误校SUNPLUS用热敏电阻做朵用温度系统概要系统说明木应用例实现ⅳrC热敏电阻器对温度的测量。热敏电阻器把温度的变化转换为电阻阻值的变化,再应用相应的测量电路把阻佶的变化转换为电压的变化;SPMC75F2413A内建8路ADC可以把模拟的电压值转换为数字信号,对数值信号进行处理可以得到相应的温度值。热敏电阻器热敏电陧有电阻值随温度升高而升高的正温度系数(3 ositive Tcmpcraturc Coefficient简称PC)热敏电阻和电阻值随温度升高而降低的负温度系数( Negative TemperatureCoefficient简称NTC)热敏电阻。NT~热敏电阻器,是·种以过渡金属氧化物为主要原材料,采用电了陶瓷⊥艺制成的热敏半导体陶瓷组件ε这种组件的电阻值随温度升髙而降低,利用这一特性可制成测温、温度补偿和控温组件,又可以制成功率型组件,抑制电路的浪涌电流。电阻温度特性可以近似地用下式来表示:式中:Rη、R分别表示NTC在温度T(K)和额定额定温度T(K)卜的电阻值,单位2,T、T为温度,单位K(Ts(k)-273.15+T(℃))。B,称作B值,NTc热敏电阻特定的材料常数(Beta)。由于B值同样是随温度而变化的,因此NT热敏电阻的实际特性,只能粗略地用指数关系来描述,所以这种方法只能以一定的精度来描述额定温度或电阻值附近的有限的范围。但是在实际应用中,要求有比较精桷的R-T曲线。要用比较复杂的方法(例如用thesteinhart-Hart方程),或者用表格的形式来给定电阻/温度关系应用例选用NC热敏电阻器CwF2-502F3950,基于精确的R-T曲线,来对温度进行精确的测量。电阻一温度关系如表1-1所示,NC热敏电阻器CwE2-502F3950各温度点的电阻值,即电阻一温度关系表。从提供的电阻一温度关系表中可以看出NTC热敏电阳器CWE2-502E3950的测温范围为[-55℃,125℃],其电阻值的变化范围为[25006292,242.6492]。表1-1电阻一温度关系衣温度℃电阻值Ω温度℃电阻值Q温度℃电阻值Q55250062542374045322523952213575120241219175C4918158018171895-471626844615393345l∠56384∠1377534313029342123231-4111655CSUNPLUS用热敏电阻做朵用温度4010232391042613898621.793295.53688267.43583521.83479043.93374819.23270833.93167074.730635292960184.6-2857030.22754054.72651247.9-25486002446101.6234374422415192139418.82037435.9-1935563.51833795-1732124.463C545.829053.827643.3-1326309.525047.91123854.2-1022724,621655.320642.719683.618774.917913.6417097.116332.915588.4111891.5014230113601.913005.412438.7l1900.111388.210901.310438.39997.74578.41109181113799128436.83133091.73147762.787449.16167150.C4176864.7592.4196332.49206C34.32215847.31225620.89235404,53245197.72255000264810.9274630.014456.93294291.283C4132.69313980.83323835.383696.03343562.193434.53194.1383C81.22392972.92402869412769.24422673.47432581.5442493.17452408.3462326.76472248.38482173.04492100.6502032511963.92521899.441837.4541777,6已1720.2561664.85571611.541560.2591510.746C1463.08611417,14621372.87631330.18641289.C21249.321211.03671174.C91138.44691104.04701070.83711C38.78721007.8273977.9374949,0675921.1776894.22868.1878843.027980795.1781772.4382750.4483729.1784708.685688.786669.4487650.88632.76SUNPLUS用热敏电阻做朵用温度89615.39C91582.0292566.179550.8194535.9495521.5396507.5797∠94.0598480.9499468.23100453.301443.9710243210321.15104410.26105399.69106389.4407379.5103369.85109360.48101,411112.57112334.01325.69114317.62115309.7716302.16117294.76118287.5719280.59120273.8121267.21122260.8123254.512L248.52125242.64数值处理通过表1-1电阻一温度关系表可以很直观的看到电阻的变化范围从242.649到2500629,在-55℃的时候其表现出的电阻值是125℃时所表现的电阻值的1030倍,这幺大的变化范围也为ADC测量带来了困难。测量电路如图1-1所示。如图1-1测量电路如上图所示NTC热敏电阻Rⅴ和测量电阻Rm(精密电阻)组成一个简单的串联分压电路,参考电压VCC Ref经过分压可以得到一个电压值随着温度值变化而变化的数值,这个电压的大小将反映出NTC电阻的人小,从而也就是相应温度值的反映。通过欧姆定律可以得到输出电压值Vadc和NTc电阻值的一个关系表达式:vadVre上+Rm/(Rv+Rm)那幺接下来的数据处理将基于式(1)展开:sPMC75F2413A的ADC为10-Bit的精度,其参考电SUNPLUS用热敏电阻做朵用温度压为5V,因此这里可以选择Vre£=5V。各温度点对应的ADC转换后的数字量可以计算。Dadc = 1024*Adc/5V(2)式(1)、(2)结合可以得到:Dadc 1024*Rm/(Rv+Rm)(3)如果这里取测量电阻Rm选择4.7K9,那幺可以计算出在-55℃时所对应的Dadc=1024*1000/(250062+100C)=4;在125℃时所对应的Dadc=1024*1000/(242.64+10C0)824。根据这样的对应关系对数据进行预处理,得到如下处理结果如表1-2所示:表1tatic const Int16 NTCTAB2[18119,20;21,22,23,24,26,27,29,30,32;34,36,38,40,42,44,47,49,52,55,57,61;64,67,71,74,78,82,86,90,95,99,104,109114120,150,156,161,168,172,180,187,194,201,208,215,22,230,238,247255,264,272,280,291,302,310;319328,338;347,357367,376,384;395,4C5,414r424;434444,453,464,47448,494,502;512,522,531,540,551,560,569,579,586;595,604,613,624,633,642,650;658,666,673,680,688:696,704,712,719,726,733,741;749,755,760,767,774,780,785,791,798,804,811,816,8827,832,837,842;847,851,856;862,868,873,856;860,64,868,872,376;879,883,886;890,893,896,899;902,905,908,911,914;917,919,922;924,927,929,931;934,936,938,940,942,94,946,947,949,951,953,954,956,958,959,961,962;964,965,966,968,969,970,971,973,974};//4.7K当然这也是应用例中所需要的一个很重要的转换表,这一部分是事先制作好的表格,将为接下来的处理提供参考依据。测量电阻Rm的选取是有一定的规律的,在实际的应用中不一定都需要测量全程温度,可以估算岀大致的温度范围。木着提高测量精度的宗旨:如果是应用在测量低温的系统中建议Rπ选择较大的电阻(10KΩ),如果在测量较高温的系统中建议Rn选择较小的电阻(1κΩ)等。线性插值在AEC进行数据采集的过程中不可能每个数值都在整温度所对应的AD数值上,所以如果在两个数据的中间一段就要对其进行进一步的精确定位。这样就必须知道采集到的数据在表1-2中的具体位置,因此要对数据表进行搜索、查找。线性表的查找(也称枍索),可以有比较常见的顺序查找、折半查找及分块查找等方法,分析线性表1-2可以得到折半查找的算法是比较高效的。Eg如果ADC采样的数值为Dade=360,即357
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