M8L to do with low

nut/os, 一个开发源码的OS，主要用于开发网络应用。-nut/os, an open-source OS, mainly for the development of network applications.

一个用LP2148实现的MP3工程，包括FAT文件系统，采用SD卡-LP2148 realize a use of the MP3 works, including the FAT file system, the use of SD cards

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这个例子如果运行,将在仿真的PC窗口中的第1,2,3行显示一些信息后,在随机位置显示 1 ~ 5 .由于keil c51默认不支持重入函数,它的重入函数使用仿真的重入栈而不使用系统栈,而Small RTOS 51没有进行重入栈管理,所以在TaskA~TaskE虽然及其相似,但不能合并. (2)编译时会有5个警告,其中一个是因为没有使用一个系统函数OSSendSignal引起,它可以忽略.另4个是禁止任务间变量覆盖分析引起,必须忽略.感谢网友John X. Liu,在这个例子中我使用了他编写的仿真(dllPc51Emu.dll),这个dll原来是为他移植的Ucos-ii for keil c51的例子编写.-If you are running this example, will the PC emulation window, the first 1,2,3-line display some information, at random locations show " 1 " ~ " 5" . Keil c51 as the default does not support the re-entry function, which re- into the function of the weight stack instead of using the simulation using the system stack, while the Small RTOS 51 not been re-stack management, and so TaskA ~ TaskE though its similar, but not combined. (2) compile-time there will be five warnings, One of them is because there is no cause to use a system function OSSendSignal, it can be ignored. The other four are prohibited between the variables covered analyze the task to be ignored. thank User

s3c2410IIC程序，测试过可以用，可以读写AT24系列-s3c2410IIC procedures can be tested, you can read and write AT24 Series

最常请求的资源来自 ARM 的大学程序之一是本科文本 （第二或第三年），包括大会和硬件的基础。为方便教学的手臂，新教材已写，包括 ARM7TDMI 的程序集、 表、 分数运算，基础知识混合 C 和程序集、 子程序和内存映射的外围设备的讨论。它还包括版本 4T 建筑参考手册的一部分，并使用免费的 Keil 软件工具，可以模拟不仅 ARM 处理器，而且整个微控制器。学生可以要么学习在他们自己的步伐或使用文本部分当然产品。从手臂的大学程序最常请求的资源之一是本科文本 （第二或第三年），包括大会和硬件的基础。为方便教学的手臂，新教材已写，包括 ARM7TDMI 的程序集、 表、 分数运算，基础知识混合 C 和程序集、 子程序和内存映射的外围设备的讨论。它还包括版本 4T 建筑参考手册的一部分，并使用免费的 Keil 软件工具，可以模拟不仅 ARM 处理器，而且整个微控制器。学生可以在他们自己的节奏学习，或者使用提供的课程的部分文本。

优龙ARM9开发板ST2410的例程，ADS编译环境-Liuzhou excellent ARM9 development board ST2410 routine, ADS compiler environment

s3c2410的Bootloader源代码分析-S3C2410

FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。 -FM25L256B is the use of advanced technology manufacturing ferroelectric 256Kb nonvolatile memory. Ferroelectric random access memory (FRAM) with a non-volatile, and can read and write as quickly as RAM. Data can be saved in the power-down after 10 years, while eliminating by EEPROM and other nonvolatile memory led to the complexity, overhead and system level reliability problems.

s3c4510原理图及其外围电路图！希望对大家有用！-Porting schematics and the external circuit! We hope to useful!