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Vivado约束指导手册

于 2021-05-06 发布
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Vivado约束指导手册输入端口到输出端口路径在从输入端口直接到输出端口的路径上,数据:不需要在器件内部锁存(atch),直接从输入端口到输出端口。他们通常被称为ln-to-out数据路径端口时钟可以是虚拟时钟也可以是设计时钟路径举例图3-1描述了上面所有的路径,在此例图中,设计时钟CLKo可被用作端口时钟,这样既可以约束D|N延时也可以约束DOUT延时FPGA DEVICEBoardDeviceInternal Delay REGAData Path DelayREGB Internal DelayBoardDINi DOUT Device○A4InpOutputDelayBUFGPort ClockCLKOPort clockIn-2-out Data PathFigure 3-1: Path Example时钟路径部分每一个时钟路径由三个部分组成:源时钟路径数据路径目标时钟路径源时钟路径源时钟路径是由源时钟从它的源点(典型的是输入端口)到发送时序单元的时钟引脚之间的路径。对于从输入端口起始的时序路径来说,就不存在源时钟路径数据路径对内部电路,数据路径是发送时序单元和捕捉时序单元之间的路径发送时序单元的有效时钟管脚称为路径起始点捕捉时序单元的数据输入管脚称为路径结束点对于输入端口路径,数据路径起始于输入端口。输入端口是路径的起始点对于输出端口路径,数据路径结朿语输岀端口。输岀端口是路径的结束点。目标时钟路径目标时钟路径是由目标时钟从其源点(典型的是输入端口)到捕捉时序单元的时钟管脚之间的路径。对于结束于输出端口的时序路径,就没有目标时钟路径图3-2显示了3段典型的时序路径REGAData PathREGBEndpointSource Clock PathStartpointDestination Clock PathFigure 3-2: Typical Timing PathSetup和Hold分析vⅳ ado ide分析时序并且在时序路径终点时候报告时序裕量。时序裕量是指在时序路径终点数据要求时间和抵达时间的差异。如果裕量为正,从时序的角度考虑此路径是有效的。Setup检查为了计算数据所需的 setup时间,时序引擎:1.决定源时钟和目的时钟之间的普通周期。如果没有被发现,为分析考虑多达1000个时钟周期。2.检查覆盖普通周期上的起始点和终点所有上升和下降沿。3.在任何两个有效 active沿之间的最小正差值dela。这个deta被称为 setup分析的时序路径要求Setup路径要求示例假象2个寄存器之间的一条路径,这些寄存器由其相应时钟上升沿触发。这条路径有效的时钟沿只有上升沿。时钟定义如下:.clko周期6nsck1周期4nsCommon periodclko launch edgesSetup(1)Setup(2)clk1 capture edgesOns 2ns 4nss 8n5 10ns 12nsFigure 3-3: Setup Path Requirement Example图33显示有2个单独的源和目的时钟沿有资格受到 setup分析: setup(1和 setup(2):源时钟发送沿时间:0ns+1*T(ck0)=6ns目的时钟抓取沿时间:0ns+2*(ck1)=8nsSetup Path Requirement=抓取沿时间-发送沿时间=2ns在计算路径要求时候,需要考虑2个重要的点:1.时钟沿是理想的,那就是说,时钟树插入延迟不在考虑之内2.默认时钟在0时间点是 phase-aligned,除非他们的波形定义引进了 phase-shit。异步时钟相位关系未知。时序引擎在分析其间路径时候会考虑默认值。关于异步时钟的更多内容看下部分Setup分析数据要求时间Setup分析数据要求时间是指为了让目的单元能安全的采样数据,数据必须在这个时间点之前稳定。这个值基于:目的时钟采样沿时间.目地时钟延时源时钟和目的时钟的不确定性目的单元 setup时间Setup分析的数据抵达时间Setup分析的数据抵达时间,是指由源时钟发送的数据在路径终点的稳定时候所需要的时间。它的值基于:源时钟发送沿时间源时钟延时数据路径延时数据路径延时包括所有从起点到终点的单元(cel)和线(ne延时。在时序报告中, Vivado将 setup时序考虑为数据路径的一部分。相应的,数据到达和要求时间的公式为:Data Required Time (setup)= destination clock capture edge time+destination clock path delayclock uncertaintyData Arrival Time(setup)= source clock launch edge timesource clock path delay+ datapath delaysetup timeSetup裕量是指要求时间和实际抵达时间的差值:Slack (setup)= Data Required Time -Data Arrival Time在输入数据引脚寄存器上 Setup裕量为负值,说明寄存器有可能锁存到未知的值跳转到错误状态Hod检查Hod裕量的计算与 setup裕量计算直接相关。当 setup分析证明了在最悲观的情况下数据可以被安全捕捉,hold分析确保了:同样的数据不可能被前面目地时钟沿错误的抓取下一个源时钟沿发送的数据不能被用来分析 setup的目的数据沿抓取因此,为了找到hold分析的时序路径,时序引擎考虑了所有为 setup分析的源和目的时钟沿结合的可能。对每一种可能的组合,时序引擎:检查发送沿和减去一个目的时钟周期的抓取沿之间的差值.检查了加上一个源时钟周期的发送沿和抓取沿之间的差值.只保留时间差值最大的发送沿和抓取沿hold路径要求示例采用page33中 setup路径要求示例中的时钟。对于 setup分析那仅有2个可能的时钟沿组合:Setup Path Requirement (S1)=1*T(clk1)-0*T(clk0)= 4nsSetup Path Requirement (S2)=2*T(clk1)-1*T(clk0)=2ns那么相应的hod要求如下:For setup s1:Hold path Requirement (Hla)-(1*T(clk1)-1*T(clk1))-0*T(clko)=onsHold Path Requirement (Hlb)=1*T(clkl)-(0*T(clk0)+I*T(clko))=-2nsFor setup $2:Hold Path Requirement (H2a)=(2*T(clk1)-1*T(clk1))-1*T(clko)2nsHold path Requirement(H2b)=2*T(clk1)-(1*T(clk0)+1*T(clk0))=-4ns从上面可以看出最大的要求时间是Ons,这正好与源时钟和目的时钟第一次上升沿相吻合。Hold路径要求示例,page36显示了 setup检查沿和他们相关的hold检查。cIko launch edgesHla S1 H1b/H2a522bclk1 capture edgesOns 2ns 4ns 6ns 8ns 10ns 12nsFigure 3-4: Hold Path Requirement Example此例中,最终的hod要求时间不是来源于最紧的 setup要求。这是因为所有可能的 setup沿都会被考虑在内,是为了找到最又挑战性的hod要求。正如在 setup分析中,数据要求时间和数据抵达时间是基于以下条件计算的:源时钟发送沿时间.目的时钟抓取沿时间源和目的时钟延时时钟不确定性数据延时.目的寄存器hod时间Data Required Time (hold)= destination clock capture edge timedestination clock path delayclock uncertaintyData Arrival Time (hold)= source clock launch edge timesource clock path delaydatapath delayhold timeHod裕量是要求时间和抵达时间的差值Slack (hold)= Data Arrival Time Data Required Time正的时序裕量意味着即使在最悲观的情况下数据也不会被错误的时钟沿抓取。而负的hold裕量说明抓取的数据错误,而且寄存器可能进入不稳定状态。矫正( recovery和移除( removal分析矫正和移除时序检查与 setup和hold检查相似,区别就是它们应用于异步数据管脚例如set或者clear o对于异步复位的寄存器.矫正时间是异步 reset信号为了锁定新数据已经切换到它的无效状态之后,到下一个有效时钟沿之间的最小时间。移除时间是在异步复位信号安全切换到其无效状态之前,到第一个有效时钟沿之后的最小时间。下面的等式描述了这两种分析的sack是如何计算的Recovery check下面的等式描述了下面如何计算:Data Required Time (recovery ) =destination clock edge start time+ destination clock path delayclock uncertaintyData Arrival Time (recovery )= source clock edge start timesource clock path delaydatapath delayrecovery timeSlack (recovery)= Data Required Time Data Arrival TimeRemoval checkData Required Time (removal)= destination clock edge start timedestination clock path delayclock uncertaintyData Arrival Time (removal)= source clock edge start timesource clock path delay+ datapath delayremoval timeSlack (removal)= Data Arrival Time -Data Required Time正如 setup和hold检査,一个负的 recovery裕量和 remova裕量说明寄存器可能进入亚稳态,并且将未知的电子层带入设计中。定义时钟时钟数字设计中,时钟提供了从寄存器到寄存器之间可靠的传输数据的时间参考。 Vivado ide时序引擎用时钟特征来:计算时钟路径要求以裕量计算的方式报告设计时序裕量更多信息,参考时序分析这章为了得到最精确的最大的时序路径覆盖,时钟必须合理的定义。可以用下面的特征定义时钟:源时钟是指定义在时钟驱动引脚或者时钟树跟端口的时钟时钟沿可以由周期和波形特性的组合描述周期是ns级的,与描述的波形的时间周期相匹配.时钟波形是在时钟周期里,在数ns内时钟上升沿和下降沿绝对时间的列表列表必须包含偶数个值。第一个值一般与第一个上升沿吻合,除非另外指定,默认的时钟占空比是50%相位是ns。如图4-1所示,ck0周期10ns,占空比50%,相位0ns。Ck1周期8ns,占空比75%,相位2ns。CIkO: period 10, waveform =10 5]CIk1: period =8, waveform=2850%50%ClaOns5ns10ns15ns25%75%clkbOns 2ns8ns 10ns16nsFigure 4-1: Clock Waveforms Example传播【 propagated clock)时钟周期和波形特征体现了时钟的理想特征。当时钟进入FPGA器件并且经过时钟树传播时候,时钟沿会有延时而且会随着噪声和硬件特性而改变。这些特点被称为时钟网络延时( latency)和时钟不确定{ uncertainty)时钟不确定性包含下面内容:clock jitterphase error任何额外指定的不确定Vivado会默认的将时钟作为传播时钟,这意味着,这是非理想的时钟。这么做是为了提供包含时钟树插入延时和不确定性的裕量的值。特定硬件资源

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  • MicroElectronic Circuit Design
    微电子电路设计第五版,Richard C. Jaeger, Traveis N. Blalock编著。FIETH EDITIONMICROELECTRONICHM-M- CIRCUIT DESIGNRICHARD C. JAEGERAuburn UniversityTRAVIS N. BLALOCKUniversity of VirginiaMcGrawEducationGrawEducationMICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN. FIFTH EDITIOPublished by McGraw-Hill Education, 2 Penn Plaza, New York, NY 10121 CopyrightC 2016 by McGraw-Hill EducationAll rights reserved. Printed in the United States of America. Previous editions 2011, 2008, and 2004. No part of thispublication may be reproduced or distributed in any form or by any means, or stored in a database or retrieval system,without the prior written consent of McGraw-Hill Education, including, but not limited to, in any network or otherelectronic storage or transmission, or broadcast for distance learninSome ancillaries, including electronic and print components, may not be available to customers outside the United StatesThis book is printed on acid-free pape1234567890DOw/DOw1098765ISBN978-0-07-352960-8MHID0-07-352960-5sident Products markets Kurt LVice President, General Manager, Products Markets: Marty Langece President, Content Design Delivery: Kimberly Meriwether DavidManaging director: Thomas TimpGlobal Publisher Raghu srinivasanDirector. Prodrelopment: RoDirector, Digital Content Development: Thomas Scaife, Ph DProduct develoVincent brashMarketing manager: Nick Mc faddenDirector, Content Design Delivery: Linda avenariusProgram meSchillingContent Project Managers: Jane Mohr, Tammy Juran, and Sandra M. SchneeBuyer: Jennifer PickelDesign: Studio Montage, St Louis, MOContent Licensing Specialist: DeAnna DausenerCompositor: MPS LimitedPrinter.R. DonnellAll credits appearing on page or at the end of the book are considered to be an extension of the copyright pageLibrary of Congress Cataloging-in-Publication DataJaeger. Richard cMicroelectronic circuit design/Richard C. Jaeger, Auburn University,Travis N. Blalock, University of Virginia. --Fifth editionpages cmIncludes bibliographical references and indexISBN978-0-07-352960-8(alk. paper)-ISBN0-07-338045-8(alk. paper)d 1. Integrated circuits--Design and construction. 2. Semiconductors--Design and construction. 3. Electronic circuitesign. I. Blalock, Travis N. Il. TitleTK7874.J3332015621.3815-dc232014040020The Internet addresses listed in the text were accurate at the time of publication. The inclusion of a website does not indicatean endorsement by the authors or McGraw-Hill Education, and McGraw-Hill Education does not guarantee the accuracy ofthe information presented at these siteswww.mhhe.comTOTo Joan, my loving wife and life long partnerRichard C. JaegerIn memory of my father, Professor Theron vaughnBlalock, an inspiration to me and to the countlessstudents whom he mentored both in electronicdesign and in life.Travis n blalockBRIEF CONTENTSPreface xxChapter-by-Chapter Summary XXV12 Operational Amplifier Applications 685PART ONE13 Small-Signal Modeling and LinearSOLID-STATE ELECTRONICS AND DEVICESAmplification 77014 Single-Transistor Amplifiers 8411 Introduction to Electronics 32 Solid-State Electronics 4115 Differential Amplifiers and Operational Amplifier3 Solid-state Diodes and Diode circuits 72Design 9524 Field-Effect Transistors 14416 Analog Integrated Circuit Design Techniques 10315 Bipolar Junction Transistors 21517 Amplifier Frequency Response 111318 Transistor Feedback Amplifiers andPART TWOOscillators 1217DIGITAL ELECTRONICSAPPENDICES6 Introduction to Digital Electronics 2837 Complementary MOS (CMOS) Logic Design 359A Standard Discrete Component Values 12918 MOS Memory Circuits 414B Solid-State Device Models and sPIce simulationParameters 12949 Bipolar Logic Circuits 455C TWo-Port Review 1299PART THREIndex 1303ANALOG ELECTRONICS10 Analog Systems and Ideal OperationalAmplifiers 51711 Nonideal Operational Amplifiers and FeedbackAmplifier Stability 587CONTENTSPreface xxCHAPTER 2Chapter-by-Chapter Summary XXVSOLID-STATE ELECTRONICS 41PART ONE2.1 Solid-State Electronic materials 432.2 Covalent bond model 44SOLID-STATE ELECTRONICS2.3 Drift Currents and mobility inAND DEVICES 1Semiconductors 472.3.1 Drift Currents 47CHAPTER 12.3.2 Mobility 48INTRODUCTION TO ELECTRONICS 32.3.3 Velocity Saturation 482.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 491.1 A Brief History of Electronics: From2.5 Impurities in Semiconductors 50Vacuum Tubes to Giga-Scale Integration 52.5.1 Donor Impurities in silicon 511.2 Classification of Electronic Signals 82.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 511.2.1 Digital signals 92.6 Electron and hole concentrations in1.2.2 Analog Signals 9Doped semiconductors 511.2.3 A/D and D/A Converters--Bridging2.6.1Type Material (ND >NA)52the analog and Digital2.6.2 p-Type Material (N,A>ND)53Domains 102.7 Mobility and Resistivity in Doped1.3 Notational conventions 12Semiconductors 541.4 Problem-Solving Approach 132.8 Diffusion currents 581.5 Important Concepts from Circuit2. 9 Total Current 59Theory 152.10 Energy Band Model 601.5.1 Voltage and current Division 152.10.1 Electron-Hole pair generation in1.5.2 Thevenin and norton circuitan intrinsic semiconductor 60Representations 162.10.2 Energy Band Model for a Doped1.6 Frequency Spectrum of ElectronicSemiconductor 61Signals 212.10.3 Compensated semiconductors 611.7 Amplifiers 222.11 Overview of Integrated circuit1.7.1 Ideal operational amplifiers 23Fabrication 631.7.2 Amplifier Frequency Response 25Summary 661.8 Element Variations in Circuit Design 26Key Terms 671.8.1 Mathematical modeling ofReference 68Tolerances 26Additional Reading 681.8.2 Worst-Case Analysis 27Problems 688.3 Monte Carlo analysis 291.8.4 Temperature Coefficients 32CHAPTER 31.9 Numeric Precision 34SOLID-STATE DIODES AND DIODE CIRCUITS 72Summary 34Key Terms 353.1 The pn Junction Diode 73References 363.1.1 pn Junction Electrostatics 73Additional Reading 363.1.2 nternal diode currents 77Problems 363.2 The i-v Characteristics of the diode 78VIllContents3.3 The Diode Equation: A Mathematica3.15 Full-Wave Bridge Rectification 123Model for the diode 803.16 Rectifier Comparison and Design3.4 Diode Characteristics under reverse, ZeroTradeoffs 124and forward bias 833.17 Dynamic Switching Behavior of the Diode 1283.4.1 Reverse bias 833.18 Photo diodes, solar cells, and3. 4.2 Zero bias 83Light-Emitting Diodes 1293.4.3 Forward Bias 843.18.1 Photo diodes and3.5 Diode Temperature Coefficient 86Photodetectors 1293.6 Diodes under reverse bias 863.18.2 Power Generation from Solar Cells 1303.6.1 Saturation Current in real3.18. 3 Light-Emitting Diodes(LEDs)13Diodes 87Summary 1323.6.2 Reverse Breakdown 89Key Terms 1333.6.3 Diode model for the breakdownReference 134Region 90Additional Reading 1343.7 pn Junction Capacitance 90Problems 1343.7.1 Reverse bias 903.7.2 Forward Bias 91CHAPTER 43.8 Schottky Barrier Diode 933.9 Diode SPICE Model and layout 93FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1443.9.1 Diode Layout 944.1 Characteristics of the MOS Capacitor 1453.10 Diode Circuit Analysis 954.1.1 Accumulation Region 1463.10.1 Load-Line Analysis 964.1.2 Depletion Region 1473.10.2 Analysis Using the Mathematical4.1.3 Inversion Region 147Model for the diode 974.2 The nmos transistor 1473.10.3 The Ideal diode model 1014.2.1 Qualitative i-v Behavior of the3.10.4 Constant Voltage Drop Model 103NMOS Transistor 1483.10.5 Model Comparison and4.2.2 Triode Region Characteristics ofDiscussion 104the nmos transistor 1493.11 Multiple-Diode Circuits 1054.2.3 On Resistance 1523.12 Analysis of Diodes Operating in the4.2.4 Transconductance 153Breakdown Region 1084.2.5 Saturation of the i-v3.12.1 Load-Line Analysis 108Characteristics 1543.12.2 Analysis with the Piecewise4.2.6 Mathematical model in theLinear model 108Saturation (Pinch-off)3.12.3 Voltage regulation 109Region 1553.12.4 Analysis Including Zener4.2.7 Transconductance in saturation 156Resistance 1104.2.8 Channel-Length Modulation 1563.12.5 Line and Load Regulation 1114.2.9 Transfer characteristics and3.13 Half-Wave Rectifier Circuits 112Depletion-Mode MosFETs 1573.13.1 Half-Wave Rectifier with resistor4.2.10 Body Effect or SubstrateLoad 112Sensitivity 1593.13.2 Rectifier Filter Capacitor 1134.3 PMOS Transistors 1603.13.3 Half-Wave Rectifier with rc load 1144.4 MOSFET Circuit Symbols 1623. 13.4 Ripple Voltage and Conduction4.5 Capacitances in MOS Transistors 165Interval 1154.5.1 NMOs Transistor Capacitances in3.13.5 Diode Current 117the Triode region 1653.13.6 Surge Current 1194.5.2 Capacitances in the Saturation3.13.7 Peak-Inverse-Voltage(PlV)Rating 119Region 1663.13.8 Diode Power Dissipation 1194.5.3 Capacitances in Cutoff 1663.13.9 Half-Wave Rectifier with Negative4.6 MOSFET Modeling in SPICE 167Output Voltage 1204.7 MOS Transistor Scaling 1683.14 Full-Wave Rectifier Circuits 1224.7.1 Drain Current 1693. 14.1 Full-Wave Rectifier with Negative4.7.2 Gate Capacitance 169Output Voltage 1234.7.3 Circuit and power densities 169ContentsIX4.7.4 Power-Delay Product 1705.3 The pnp Transistor 2234.7.5 Cutoff Frequency 1705.4 Equivalent Circuit Representations for the4.7.6 High Field Limitations 171Transport Models 2254.7.7 The unified mos transistor model5.5 The i-v Characteristics of the bipolarIncluding High Field Limitations 172Transistor 2264.7.8 Subthreshold conduction 1735.5.1 Output Characteristics 2264.8 MOs Transistor Fabrication and layout5.5.2 Transfer characteristics 227Design Rules 1745.6 The Operating Regions of the Bipolar4.8.1 Minimum Feature size andTransistor 227Alignment Tolerance 1745.7 Transport Model Simplifications 2284.8.2 Mos Transistor Layout 1745.7.1 Simplified Model for the Cutoff4.9 Biasing the NMOS Field-EffectRegion 229Transistor 1785.7.2 Model Simplifications for the4.9.1 Why Do We Need Bias? 178Forward-Active Region 2314.9.2 Four-Resistor Biasing 1805.7.3 Diodes in Bipolar Integrated4.9.3 Constant Gate-Source VoltageCircuits 237Bias 1845.7.4 Simplified Model for the4.9.4 Graphical analysis for theReverse-Active Region 238Q-Point 1845.7.5 Modeling Operation in the4.9.5 Analysis Including Body Effect 184Saturation Region 2404.9.6 Analysis Using the Unified5.8 Nonideal Behavior of the bipolarModel 187Transistor 2434.10 Biasing the PMos Field-Effect Transistor 1885.8.1 Junction Breakdown Voltages 2444.11 The junction Field-Effect Transistor5.8.2 Minority-Carrier Transport in theUFET190Base Region 2444.11.1 The JFET With Bias Applied 195.8.3 Base Transit time 2454.11.2 JFET Channel with Drain-Source5.8.4 Diffusion Capacitance 247Bias 1935.8.5 Frequency Dependence of the4.11.3 n-Channel jfet i-v Characteristics 193Common-Emitter current gain 2484.11.4 The p-Channel JFET 1955.8.6 The Early Effect and Early4.11.5 Circuit Symbols and JFET ModelVoltage 248Summary 1955.8.7 Modeling the Early Effect 2494.11.6 JFET Capacitances 1965.8.8 Origin of the Early Effect 2494.12 JFET Modeling in Spice 1965.9 Transconductance 2504.13 Biasing the JFET and Depletion-Mode5.10 Bipolar Technology and sPiCe Model 251MOSFET 1975.10.1 Qualitative Description 251Summary 2005.10.2 SPICE Model Equations 252Key Terms 2025.10.3 High-Performance BipolarReferences 202Transistors 253Problems 2035.11 Practical bias circuits for the bjt 2545.11.1 Four-Resistor bias network 256CHAPTER 55.11.2 Design Objectives for theBIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 215Four-Resistor bias network 2585.11.3 terative Analysis of the5.1 Physical Structure of the BipolarFour-Resistor bias circuit 262Transistor 2165.12 Tolerances in bias circuits 2625.2 The Transport Model for the npn5. 12.1 Worst-Case Analysis 263Transistor 2175. 12.2 Monte Carlo Analysis 2655.2.1 Forward Characteristics 218Summary 2685.2.2 Reverse Characteristics 220Key Terms 2705.2.3 The Complete Transport ModelReferences 270Equations for Arbitrary BiasProblems 271Conditions 221
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