PI_THESIS_40_1PHASE

这是斯坦福大学的教授研制的软件，中国现在学习用的很广的工具，我给出的是相关的资料文章。(This is a professor at Stanford University, developed software, China is now very widely used learning tools, I give the relevant information in the article.)

l algorithme mid-perpendiculaire en matlab

粒子群算法与DVHOP算法的结合，有结果图(Combined with particle swarm optimization algorithm and DVHOP have results in Fig.)

说明：  简要介绍了OFDM的发展状况及基本原理, 文章对OFDM 系统调制与解调技术进行了解析，得到了OFDM 符号的一般表达式，给出了OFDM 系统参数设计公式和加窗技术的原理及基于IFFT/FFT 实现的OFDM 系统模型，阐述了运用IDFT 和DFT 实现OFDM 系统的根源所在,重点研究了理想同步情况下,保护时隙(CP)、加循环前缀前后和不同的信道内插方法在高斯信道和多径瑞利衰落信道下对OFDM系统性能的影响。在给出OFDM系统模型的基础上,用MATLAB语言实现了传输系统中的计算机仿真并给出参考设计程序。最后给出在不同的信道条件下,研究保护时隙、循环前缀、信道采用LS估计方法对OFDM系统误码率影响的比较曲线,得出了较理想的结论。(Generation of OFDM Communication System)

结合Gabor特征和adaboost的人脸表情识别方法，内附matlab源程序和实验(Combination of Gabor features and adaboost of facial expression recognition methods, and experimental matlab source code included)

这是关于MATLAB中GUI部分设计的书籍，讲解详尽(This is part of the MATLAB GUI design books, explain detailed)

主要针对 MIMO中的alamouti 进行仿真测试，有2发1收，3发1收，4发1收 进行比较。(Mainly for the alamouti MIMO simulation test, there are two hair a close, 3 rounds a close, four made a close comparison.)

vc++ 与matlab图像处理与识别案例精选(vc++ with matlab image processing and recognition of cases selected)

matlab从入门到精通第9章书后源码对初学者很有帮助(matlab)

说明：  若锗中含有一定数量的杂质元素Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度之间的关系： （1）当Sb浓度分别为 和 时，计算杂质99％，90％和50％电离时的温度各为多少？ （2）根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处于强电离区（电离度>90％）的温度范围。 设计要求：（1）具有友好输入输出界面； （2）调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。 (If the germanium containing a certain number of impurity elements Sb, test analysis in accordance with the requirements of impurity concentration and ionization degree, as well as the relationship between the ionization temperature: (1) When the Sb concentration and time were calculated 99 percent of impurities, 90 and 50 ionization When the temperature of each number? (2) according to certain types of impurities and impurity concentration, ionization degree and temperature to draw the relationship between the graph lines, and to determine the semiconductor in a strong ionization zone (ionization degree)