id_Vg_v_as_param_new
于 2010-06-24 发布
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在存在界面层的情况下，铁电存储器MFIS-FET结构漏极电流随界面层厚度变化的关系(Interface layer in the presence of the case, ferroelectric memory, MFIS-FET structure, the drain current with changes in the relationship between the interface layer thickness)
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..........\id_Vg_v_as_param_new.m,5631,2010-04-22
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