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基于STM32的双向DC-DC变换器的设计与实现

于 2020-12-05 发布
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本系统主要由 BUCK 降压模块、BOOST 升压模块、测控模块、辅助电源模块组成。其中BUCK 降压模块和BOOST 升压模块的驱动选用具有波形互补的可编程芯片IR2104、电流采样选用TI 公司专用高边电流采样芯片INA282;测控模块采用低功耗单片机STM32 对输出电压、输出电流实现闭环PI 控制。系统可以实现:在充电模式下,充电电流在 1~2A范围内步进可调且步进值为 0.05A,电流控制精度 1.30%左右;充电电流变换率为 0.87%;充电效率可达到 97.11%,具有测量、显示充电电流以及过充保护功能。在放电模式下,放电效率可达到96.54%且电压能保持在 30V目录第一章绪论1.1课题背景·*······*···*·····*···‘1.2双向DC-D变换器的研究意义1121.3国内外研究和应用现状1.4论文主要的研究内容.第二章双向DG-DG变换器拓扑结构的硏究.34662.1双向DC-DG变换器的基本原理与类型2.2双向DC-DG变换器的电路拓扑2.3双向DCDC变换器方案的设计10第三章双向DC-DC变换器硬件电路分析及参数设计.3.1双向DG-DG变换器的硬件电路分析.…123.2BUCK-B00sT电路器件的选择及参数设计3.3电流采样电路分析及参数设计173.4 MOSFET管驱动电路设计183.5辅助电源设计.19第四章双向DG-DG变换器的软件设计4.1软件设计方法214.2主函数程序设计4.3按键模式的识别.224.4恒流恒压模式的设计……第五章双向DG-DG变换器调试、实验结果与分析255.1测试仪器∴255.2测试方法255.3测试实验数据5.4测试结果分析…27第六章总结与展望6.1总结286.2展望.28[参考文献]附录(一):项目课题获奖情况及总体实物图….31附录1.1项目课题获奖情况31附录1.2双向D-DC变换器的总体实物图,34附录(二)程序清单…..35第一章绪论1.1课题背景航天器由若下分系统组成,分为有效载荷和航天器平台两大类。有效载荷主要是直接执行特殊的航天任务,而航天器平台主要由航天器结构和服务与支持系统构成。服务与支持系统主要包括电源裝置、姿态控制裝置、轨道控制装置、无线电测控装置、数据保管等等。因此,电源分系统是极其重要的,它是航大器所有能源供给装置。若电源部分工作不止常,则整体就将失去作用,变为毫无用处,电源重量占航天器重量的15%~25%。分为化学电源、太阳电池电源和核电源三类。日前世界上90%以上的航天器都采用太阳能电池阵构成的光伏电源发电系统。主功率供电回路的额定电压(母线电压)三个等级:(1)低压—28V,适用功率等级:1200W(2)中压——42或50V,适用功率等级:200水平(3)高压—100V或以上,适用功率等级:4000V水平。载人飞船氿道运行高度为300~400Km,轨道周期约为9lmin,其中轨道最长,阴影吋间37min,最短光照时间54min。飞船屯源分系统组成部分如表1所表1飞船电源分系统组成电源名称电源类型配置舱段用途备注太阳电池阵-镉镍待发段、发射段、自主主电源推进舱蓄电池系统运行段向整船供电有留轨仁务需要时,飞留轨电源太阳电池镉都轨道舱留轨使用期间船配置留轨电源,否电池系统不配置返回/着陆返回、着陆、等待期旧锌银蓄电池组返回舱电源供电补充峰值功率、应急飞应急电源锌银蓄电池组推进舱行供电目前,我国的航天电源部分调节器主要依赖于从欧洲等国家进口,需要耗费巨资,对我国载人航天的航天器产生极其不利的影响。因此,具有自主知识产权的电源部分调节器的研制,具有很重要的意义和深远的影响1.2双向DDG变换器的研究意义在传统的太阳能电池阵构成的光伏电源发电系统,传统的蓄电池充、放电模块很难保证太阳能阵在太阳光线充足时产生多余的能量不会导致航天器的过热以及储能装置蓄电池组的过允电,而且功率密度点较大,成木高,系统结构相对复杂。太阳能光伏电源发电系统是将太阳能转换成电能的发电系统,它的主要部件是由太阳能电池组、太阳能控制器、储能装置蓄电池(组)和太阳跟踪控制系统组成。其特点是高可靠性、寿命长以及对环境不产生污染、能独立进行发电且并网运行,受到世界各国电网公司的喜欢,发展前景十分广阔。太阳电池的发电功率通过“分流调节”全部变换为母线功率,一部分直接给负毂供电,另一部分则通过“充电调节”变换为充电功率为储能装置蓄电池组充电;蓄电池组功率通过“放电调节”变换为母线功率。对太阳电池发电功率的使用优先级依次为供电、充电、分流。充电功率可以视作母线的可调负载。太阳能电池光伏电源发电系统工作原理如图1所示。正丹线充电控制放电调节负载太阳能电池太阳能电池分流控制蓄电池组充电阼供电阵负母线图1光伏电源发电系统工作原理双向DC-DC转换器是连接正负母线电压与储能系统(如储能装置蓄电池组)的关键,所以使转换器的效率变髙极其重要。本文提出了一种降低功耗,提高整机效率的方案,使得对双问DCDC转换器的探讨变得更加具有意义。1.3国内外研究和应用现状20世纪后期,太阳能电池阵-储能装置蓄电池组构成的光伏电源发电系统的休积和重量庞大,著名外国学者提出了一种基于BCK/B0OST双向DCDC直流转换器来代替原有光伏电源发电系统的允电、放电模块,从而实现电压的稳定20世纪90年代,中国工程院院士陈清泉教授将基于BUCK/ BOOST双向DC-DC变换器在电动车领域使用,同年,外国专家研制了用大功率的水冷式DC-DC变换器即基于BUCK/ BOOST双向DC-DC直流转换器来驱动电动车,由于基于BUCK/BO0ST双向DC-DC变换器的输入输出电压的忙负极相反,不适合在电动车上应用,因此,他提出了一种基于BUCK-BO0ST级联型的双向DC-DC变换器,变换器的电源输入端与电压输出端的负端共用。经过4年时间,美国著名大学-弗吉尼亚大学教授李泽元开始研究在燃料电池上双向DC-DC变换器的配套应用。由此可见,用于载人航天的航天器电源和电动车辆的技术更新对双向DC-DC变换器的发展具有巨大的推动作用,随着开关直流变换器技术即脉宽调制技术的实现,给双向DCDC变换器的发展带来了曙光。1994年,有一位著名的澳大利亚学者发表论文,总结出几种非隔离型双向DC-DC变换器拓扑结构,主要是在CM0S开关管上反向并联具有快速、低功耗的二极管,且在二极管上反并联CMOS开关管,从而构成非隔离方式的双向DC-DC变换器种类有:BUCK-B0OST变换器、BUCK/B0OST变换器、CUK变换器和SEPI-ZETA变换器2004年,由我国学者张方华博士对推挽正激移相式、级联式、正反激组合式双向DC-DC直流变换器做了深入的研究。提出∫很多新型的应川电路,研究∫其控制模型,采用PI补偿环节的单电压闭环实现了系统闭环稳定。双向DC-DC变换器的硏究是近年来开关电源技术研宄的一个热门话题。2006年梁永春博士探讨了由反激式并联输入、串联输出构成的反激逆变器,提出了种同步整流的控制方案,极大地简化了髙频链逆变器的控制,使得整流二极管的导通损耗大幅度降低,整个电源系统的效率提高到85.8%。1.4论文主要的研究内容要求:设计一种双向DC-DC变换器,实现电池组的充电、放电功能。系统结构如图2所示,电池组由5节18650型、容量2000~3000mAh的锂离子电池串联组成。所用电阻阻值误差的绝对值不大于5%辅助电源测控电路3BS1 Rs-5Q2电双向DCDC池变换电路组RL=302直流稳压电源图2电池储能装置结构框图1.基本要求接通S、S3,断开S2,将装詈设定为充电模式(1)U2=30V条件下,实现对电池恒流充电。保障充电时电流l在1~2A范围内能够步进可调,步进值应≤0.1A,电流的控制精度≥5%。(2)设定1=2A,调整直流稳压屯源输出电压,使U2在2436V范围内变化时,要求充电电流I的变化率不大于1%(3)设定l1=2A,在U2=30V条件下,变换器的效率n1≥90%(4)测量并显示充电电流,在I-1~2A范围内测量精度不低于2(5)具有过充保护功能:设定l1=2A,当U1超过阈值U=24±0.5V时,停止充电。2.发挥部分(1)断开S1、接通S2,将装置设定为放电模式,保持U2=30±0.5V,此时变换器效率n2≥95%(2)接通S1、S2’断开S3’调整直流稳压电源输出电压,使直流电源电4压U在32~38V范围内变化时,双向DC-DC变换器能够自动切换工作模式即可自动切换充放电模式并保持输出电压U2=30±0.5V。(3)在满足要求的前提下简化结构、减轻重量,使双向DC-DC变换器、测控电烙与辅助电澒三部分的总重量不大于500g。(4)其他第二章双向Dc-D变换器拓扑结构的研究2.1双向DCDc变换器的基本原理与类型2.1.1双向DC-DG变换器的基本原理双向DC-DC变换器是把育流电压转换成另一个数值的电压,它是由软件控制导通的CW0S开关管、储能电感、续流二极管、具有滤波作用的电容、负毂等构成的,通过具有滤波功能的负载电路和直流电压时而使开关管时而接通或者时而关断,仗得另一端即负载上得到另一个直流电压2.1.2D0DG变换器的类型目前,国内外将双向DCDC变换器的拓扑结构主要划分为非隔离式和隔离式两大类。非隔离型拓扑的主要有:BUCK降压式、 BOOST升压式、BUCK- BOOST升降压型等拓扑。非隔离型拓扑如图3所示。隔离型拓扑的主要有:止激、反激、推挽、半桥、全桥型变换器(1)隔离型变换DYYYCD(a)BUCK变换器拓扑(b) BOOST变换器拓扑DL(c)BUCK- BOOST变换器拓扑图3非隔离型变换器拓扑以最基木的BUCK降压式变换器和BO0ST升压式变换器为例,介绍其工作原理。BUCK降压式变换器:当CMOS开关管Q接通时,电源Vin通过电感L给电容C充电;当开关管断开时,电感L通过快速、低功耗二极管D续流,电压逐渐降低。此时,电容上的电流由正逐渐降为零,最后变成负向,进而使开关管又一次导通,使得电感上电流增加。其储能电感L上电流波形如下图4所示tImar1-min(a)BUCK电感电流连续时波形(b)BUCK电感电流断续时波形图4BUCK电感电流波形BO0ST升压式变换器:当开关管Q导通吋,电源向电感L储能,电感L电流增加,负载由电容C供电;当开关管Q关断时,电感电流减小,电感电势与输入电压叠加,迫使二极管D导通,一起向负载供电,并同时向电容C充电。其电感电流波形如图5所小7

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USETIM1RICExTIt2C2TIM2DMA212C1TIEUARTS TIM5GPc日UART& TIM4AHTa通道1USaRT TIM2通通通5AA请求图2STM32系统结构框图内核在系统结构上,STM32和51都属于单片机,都是由内核和片上外设组成。只是STM32使用的 Cortex-M3内核比51复杂得多,优秀得多,支持的外设也比51多得多,同时总线宽度也上升到32bit,无论速度、功耗、外设都强与51。第4页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列从结构框图上看,对比5内核只有一种总线,取指和取数共用。 Cortex-M3内部有若干个总线接∏,以使CM3能同时取址和访内(访问内存),它们是:指令存储区总线(两条)、系统总线、私有外设总线。有两条代码存储区总线负责对代码存储区(即 FLASH外设)的访问,分别是 I-Code总线和 D-Code总线。I-Code用于取指, D-Code用于查表等操作,它们按最佳执行速度进行优化。系统总线( System)用J访问内存和外设,覆盖的区域包括SRAM,片上外设,片外RAM,片夕扩展设备,以及系统级存储区的部分空间。私有外设总线负责一部分私有外设的访问,主要就是访问调试组件。它们也在系统级存储区。还有一个MDA总线,从字面上看,DMA是 data memory access的意思,是一种连接内核和外设的桥梁,它可以访问外设、内存,传输不受CPU的控制,并且是双向通信。简而言之,这个家伙就是一个速度很快的且不受老大控制的数据般运工,这个在51里面是没有的外设从结构框图上看,STM32比51的外设多得多,51有的串口、定时器、O口等外设STM32都有。STM32还多了很多特色外设:如FSMC、SDIO、SPI、2C等,这些外设按照速度的不同,分别挂载到AHB、APB2、APB1这三条总线上。小结从内核和外设这两大方面米比较,SIM32之于51就是一个升级版的单片机。它适应市场,引流淛流,在中低端的微控制器中流光溢彩。12学习方法的区别学习51用寄存器,学习STM32用库。以前我们在学习51的时候,用的是寄存器编程的方法,想要实现什么效果,直接往寄存器里面赋值,优点是直观,简单粗暴,知道自己具体干了啥,心里踏实直接操作寄存器之所以在51上可行,究其原因,我想有两点:1、51主频不高,资源有限,必须注重程序执行的效率,只能直接操作寄存器。关键的地方还得用汇编,不适合用同件库。第5页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列要知道当初我们学习51单片机的时候用的还是汇编,连现在的C编程都不是,就更别说什么斥函数编程2、51功能简单,寄存器不多。以国内普及最广的STC89C52为例,寄存器仝部加起来不到30个。按照功能区分来记的话,可以把每个寄存器背的滚瓜烂熟,并且寄存器每一位的功能都可以记得住,在编程的时候做到了然于胸。现在从51过度到STM32的学习,很多人还是喜欢沿用51的学习方法。接受不了库,在学习库的时候陷入迷糊之中,来回几个月下来,都不知道到底有没学会STM32,因为在这一路的学习中都是在调用库函数,压根就没有操作过寄存器,心里面很不踏实。其实大家在调用库函数的时候心中难道就没有疑问,库的底层是怎么实现的?难道就没有勇气对庥的底层探究竟。可最后当我们丌始跟踪斥函数底层的时候,看到·堆的宏定义、结构体、指针、各种的文件包含,而且注释全部都是荚文的,是不是乂心生忌惮。鉴于此,我想用两个原因来总结下很多初学者畏惧库不愿意用库的原因。1、C语言知识点的欠缺库在实现寄存器映像时使用的宏定义,强制类型转换,在定义寄存器时使用的结构体,在外设初始化函数时使用的指针,在组织头文件时使用的条件编译等C语言知识,在大学课程中很少涉及,大多数老师也基本是不讲。在一些简单的51单片机编程中又很少会用到这些知识。学单片机,做嵌入式开发其实80%的工作都跟C语言编程相关,剩下的20%的匚作就是阅读各种数据手册,熟悉各和硬件外设。所以掌握这些基本的C语言知识,是嵌入式学习中一道迈不过去的坎,STM32的库则给」我们一次提升C的机会凡是可以从书本中找到的,相信我们基本都可以学会,很多初学者并不是不够聪明或者勤奋,只是缺少方向性的指导罢了。对于这欠缺的知识点我们稍微花点时间就可以掌握,剩下的就是不断地实践词试。这里我为大家推荐·本C语言的书籍《C和指针》。2、程序架构设计思想的欠缺这个比较难搞,很多C语言学习得挺好好的人,也比较难掌握。还好我们遇到了SIM32的库,这给了我们一个学习和提升C语言绝佳的机会。库的整个架构是如何搭建起来的,代码上是如何如何一步一步写出来的:从寄存器映像开始,到寄存器的封装,然后到函数的编写,到每个外设函数对应的驱动文件,这里面涉及到了大量的条件编译,文件包含的思想,对应刚写过几行51单片机的初学者来说简直就是噩梦。但是,如果你把这系列的关系弄明自了,那么对库的整个架构也了解的差不多了,以后你就不用嚷嚷着说要操作奇存器了。如果你一开始不喜欢用库,对库开发很忌惮,那么请自问:是不是我的C语学得不够好。库是一种全新的学习方法,是一种河流,我更把它看做是与C语言的又一次历练和提升。是否用库,只差你一个闪亮的回眸第6页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列1.3用寄存器点亮LED为了顺利过渡到库开发,在STM32编程的开始,我们对照51点亮一个LED的方法,给大家演示一下STM32如何用操作寄存器的方法点亮一个IFD,然后再慢慢讲解到底什么是库,让大家知道库跟寄存器的关系1.3.1用51点亮一个LED在用STM32点亮一个LED之前,我们先来复习下用5如何点亮一个LED。硬件上我们假设51单片札的P0口的第0位接了一个LED,负逻辑亮。如果我们要点亮这个LED,代码上我们会这么写1P0=0XFF;//总线操作点亮FD这时侯我们就把LED点亮了,如果要关掉LED,则是:1P0=0xFF;//总线操作关闭二ED这里面我们用的是总线操作的方法,即是对P0口的8个1O同时操作,但起作用的只是P0^0除了这种总线操作的方法,我们还学习过位操作,利用51编译器的关键字sbit,我们可以定义个位变量1sbit工E0^0那么LED=0;就点亮了LED,LED=1;就关闭了LED。为了让程序看起来见名知义,我们定义两个宏:1 #define on 02 define OfF 1点亮和关闭LED的代码就变成了:1 LED//位操作点亮IED2 LED= OFF//位操作关闭LD稍微整理下代码,整体的效果就是:1//假设51单片机的P0~0口接TFD,负逻辑点亮3 #define ON 04 definc Ofe 16 sbit lEd poo8 void main(void)第7页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列9{10PO OXFE;/总线操作点亮0=0XE彐//总线操作关闭LED13工ED=ON;//位操作点亮LED14LED=OF彐;/位操作关闭LED15」上血总线和位操作的的方法,学过51的朋友是非常熟悉的,也很容易理解。那么我们再说一下大家容易忽略的几个知识点。什么是寄存器在点亮LED的时候,我们都是用操作寄存器的方法来实现的,那大家是否想过,这个寄存器到底是什么?为什么我们可以直接操作P0口?解答上面的问题之前,我们先简单介绍下51单片机的主要组成部分,这对我们学习其他单片机也有好处。我们以国内的STC89C51为例,该单片机主要由51内核、外设IP、和总线这三人部分组成。内核是由 Intel公司生产的,外设P就是STC公司在内核的基础上添加的诸如定时器、串口、IO凵等这些东西,总线就是用米连接內核和外设的接凵单元。 Intel在这里属于IP核设计公司,STC属」I设计公司。世界上能设计IP核的公司屈指可数。我们非常熟悉的ARM公司就属于IP核设计公司,ARM给其他公司授权,其他IC公司就在ARM内核上设计出各具特色的MCU,我们后面要学习的STM32就是属于一中基于ARM内核的MCU。寄存器则是内置于各个IP外设中,是一种用于配置外设功能的存储器,就是一种内存,并且有想对应的地址。学过C语言我们就知道,要操作这些内存就可以使用C语言中的指针,通过寻址的方式来操作这些具有特殊功能的内存一寄存器。比如P0口对应的地址是0X80,那么我们要修改0X80这个地址对应的内存的内容的话,按照常理可以这样操作1*(+0X80)=0XEE;点亮LED可当我们编译的吋候,编译器会报错,在51里面只能通过SFR和SBIT这两个关键字来实现寄存器映像,不能直接操作寄存器对应的地址,这是51相较于STM32不同的地万51单片机的这些寄存器位于地址80H~HFH中,对应着128个地址,但不是每个地址都是有效的,51系列的单片机有21个,52系列的则有26个,其他的都是保留区第8页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列表2AT89c52SFR映象及复位状态OFBDEFHDFOHo00000DFTHOE8H0D000000DETH00000003DOTHOC8H0000000)XXXXXXODDCFHx00000037HEDAFH0粪0H11111111DATHSCON98H00000002SBUF9FHP1111111197HTCON88H0000000)TMODTLOTL100000000000000000000000000000000000BFHSPDPHPCON80H1DPLco111OXXX0000图351寄存器映射2.寄存器映射实际上我们在编程的吋侯并不是通过指针来操作奇存器的,而是直接给PO、Pl这些端口寄存器赋值。那么这些外设资源是如何与地址建立一一对应的关系(寄存器映射定义),这得益与51特有的两个关键字:SFR和sbit,其但单片机没有,只能用其他的方式来实现寄存器映射。这两个关健字帮我们实现了所有寄存器的定义,所以我们才可以像操作普通变量一个米操作寄存器。其实我们一开始提到的点亮LED的代码,全貌应该是这样的:1 sfr pocx80;//寄存器定义2P0=0ⅩFE;/总线操作点亮LED为了方便起见,我们可以扣奇存器映射全部写好封装在个头文件里面,不用每用个寄存器就定义一次。其实这方面的工作不用我们做,我们在编程的时候都会在开始的地方添加一个头文件1 include 第9页共53页C秉火《零死角玩转STM32》一F1系列这个头文件已经实现了全部寄存器的定义,该文件是kei自带,在安装目录:KeiC5IINC可以找到。这个文件实现了字节寄存器和位寄存器的定义2 REG514 Header file for generic 80C51 and 80C31 microcontroller5 Copyright (c)-988-2002 Keil ELektronik GIbH and Kei- Software, Inc6 All rights reserved.9 +ifdef REG5- H10#define RFG5. H1112/* BYTF, Reci ster *13sfr0=x80;1456PEE2×90sfrCaO;13BO17 sfr PSWRDO18 sfr AccCeO:901strBsExFO;12222x8-;3 sIr PCoN24 sr icon Cx8825 sfr TMOD Cx89:sfr TloxiA2222367890sfr TCx8Bfr TCx8Cifr Ti18D831 sfr t2×B832 sfr sLHHEPCB9833 sfr sbuf993436/* BIT Register37/+PSW*/38 sbit CYOxD39 sbit ACOxD640 sbit Fo41 sbit rs0xD4;43 sbit ov44 sbit P=0×D0;4546/*TCON*/47 sbit TF0x8F;48 sbit TR0x8E;49 sbit TFo0x8D:50 sbit mro0x8C51 sbit IE-= 0x8B;53 sbit Ieo0x894 shit tto08856/+IE57 sbit eA0×AF58 sbit fs0×AC59 sbit er0×AB;60 sbit EX0×AA61 sbit ero0x90×A8第10页共53页
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